Магниты или магнитные тела, отличающиеся по магнитному материалу, выбор материалов для получения магнитных свойств: ..содержащие полупроводниковые магнитные материалы, например CdCr2S4 – H01F 1/40

МПКРаздел HH01H01FH01F 1/00H01F 1/40
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01F Магниты; индуктивности; трансформаторы; выбор материалов, обеспечивающих магнитные свойства
H01F 1/00 Магниты или магнитные тела, отличающиеся по магнитному материалу; выбор материалов для получения магнитных свойств
H01F 1/40 ..содержащие полупроводниковые магнитные материалы, например CdCr2S4

Патенты в данной категории

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФЕРРИМАГНИТНЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к области металлургии, в частности к полупроводниковым ферримагнитным материалам. Заявлен полупроводниковый ферримагнитный материал. Материал характеризуется постоянством величины намагниченности насыщения при изменении индукции магнитного поля и включает железо, галлий и магний, представляет собой гомогенный раствор оксидов железа, галлия и магния и отвечает формуле Mg(Fe 1-xGax)2O4, где х=0,05÷0,25. Гомогенность раствора достигается применением метода самораспространяющегося высокотемпературного синтеза, а последующий отжиг полученного мелкодисперсного аморфного материала при температуре 1223÷1273 К и его охлаждение приводит к образованию гомогенного материала со структурой шпинели. Технический результат - получение полупроводникового ферримагнитного материала, обладающего постоянством величины намагниченности насыщения при изменении индукции магнитного поля. 6 ил., 1 табл.

2436859
патент выдан:
опубликован: 20.12.2011
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФЕРРИМАГНИТНЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к полупроводниковым материалам на основе оксидов металлов, в частности к гомогенным поликристаллическим материалам на основе сложных оксидов класса разбавленных магнитных полупроводников. Может использоваться в спинтронике. Полупроводниковый ферримагнитный материал имеет температуру перехода в парамагнитное состояние ТК=470-520 К и представляет собой твердый раствор оксидов цинка, алюминия или галлия, магния и железа, отвечающий формуле (ZnAl2O4)1-x (MgFe2O4)x или (ZnGa2 O4)1-x(MgFe2O4) x, где х=0,01÷0,10. Материал обладает термической стабильностью. 6 ил., 3 табл.

2392680
патент выдан:
опубликован: 20.06.2010
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ АНТИФЕРРОМАГНИТНЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к материалам на основе оксидов металлов, в частности к гомогенным поликристаллическим материалам на основе сложных оксидов. Может использоваться в магнитоэлектронике. Полупроводниковый антиферромагнитный материал характеризуется температурой перехода в парамагнитное состояние TN=600-650 К и представляет собой гомогенный твердый раствор оксидов цинка и кобальта Zn1-XCoX O, где Х=0,01÷0,25; или гомогенный твердый раствор оксидов цинка, кобальта и лантаноида Zn1-X-YCo XLnYO, где Ln - Pr, Nd, Sm или Eu; X=0,01-0,24; Y=0,01-0,03; X+Y 0,25. Полученный материал обладает полупроводниковыми и антиферромагнитными свойствами, высокой температурой Кюри при высокой термической стабильности. 2 ил., 1 табл.

2318262
патент выдан:
опубликован: 27.02.2008
Наверх