Конденсаторы постоянной емкости, способы их изготовления: .тонкопленочные или толстопленочные конденсаторы – H01G 4/33

МПКРаздел HH01H01GH01G 4/00H01G 4/33
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01G Конденсаторы; конденсаторы, выпрямители тока, детекторы, переключатели, светочувствительные или термочувствительные устройства электролитического типа
H01G 4/00 Конденсаторы постоянной емкости; способы их изготовления
H01G 4/33 .тонкопленочные или толстопленочные конденсаторы

Патенты в данной категории

ЕМКОСТНЫЙ ПРИБОР И РЕЗОНАНСНАЯ СХЕМА

Заявленное изобретение относится к области электротехники и направлено на предотвращение изменения емкости при смещении электродов, расположенных один напротив другого через слой диэлектрика. Емкостный прибор согласно изобретению содержит слой (10) диэлектрика, первый электрод (11), выполненный на заданной поверхности (10а) слоя (10) диэлектрика, и второй электрод (12), выполненный на противоположной поверхности (10b) слоя (10) диэлектрика. Первый и второй электроды (11, 12) выполнены такой формы, чтобы даже в случае смещения первого электрода (11) в заданном направлении относительно второго электрода (12) площадь перекрывающейся области противоположных электродов между первым электродом (11) и вторым электродом (12) оставалась неизменной. Повышение стабильности работы емкостных приборов с переменной емкостью является техническим результатом заявленного изобретения. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 61 ил.

2523065
патент выдан:
опубликован: 20.07.2014
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЛОИСТОЙ НАНОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ДВУХОБКЛАДОЧНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ

Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к способам изготовления многослойных нанокомпозитов для конденсаторов, в частности наноструктур металл-диэлектрик-металл (МДМ) с нанометровой толщиной слоев. В способе, включающем следующие этапы: формирование на поверхности кремниевой подложки регулярно расположенных затравочных выступов, выращивание одномерных наноэлементов, а также нанесение методом атомно-слоевого осаждения (ALD) или plasma enchanched ALD (PEALD) методом на поверхности выращенных одномерных наноэлементов и на участки поверхности подложки, не занятые упомянутыми выше наноэлементами, слоев, конформных этим поверхностям и соответствующих диэлектрической части формируемой наноструктуры и верхней обкладке для конденсатора, согласно изобретению, центры одномерных наноэлементов формируют на поверхности кремниевой подложки в виде расположенных регулярно затравочных выступов, на которых выращивают методом скользящего углового осаждения (GLAD) одномерные наноэлементы из высоколегированного кремния столбчатой формы, при этом затравочные выступы выполняют с максимальными поперечными размерами от 25 до 80 нм. Техническим результатом является повышение удельной электро- и энергоемкости, однородности распределения электрофизических параметров. 3 з.п. ф-лы, 5 ил.

2444078
патент выдан:
опубликован: 27.02.2012
МИКРОКОНДЕНСАТОР

Изобретение относится к радиотехнике, к радиотехническим элементам, применяемым в электрических цепях с частотной избирательностью, и может быть использовано в трактах промежуточной частоты радиоприемных устройств. Техническим результатом изобретения является возможность регулирования емкости и значительно сократить паразитные емкости и индуктивности. Согласно изобретению микроконденсатор, содержит диэлектрическую подложку и множество токоведущих элементов металлизации, сформированных на верхней и нижней поверхностях и в отверстиях диэлектрической подложки, которые образуют обкладки конденсатора плоскокоаксиального типа. Выходы металлизированных отверстий на одной из поверхностей соединены с контактными площадками и перемычками, предназначенными для изменения величины емкости от максимального до минимального значения путем их разъединения. 1 ил.

2438204
патент выдан:
опубликован: 27.12.2011
ПЛЕНОЧНЫЙ КОНДЕНСАТОР

Изобретение относится к электротехнике, а более конкретно к слоистым пленочным электродам для электролитических конденсаторов, слои которых имеют существенные отличия по составу и физической структуре. Техническим результатом изобретения является увеличение удельной емкости. Согласно изобретению пленочный конденсатор содержит многослойную анодную фольгу с высокоразвитой поверхностью, на которой адгезионно закреплена оболочка диэлектрика, покрытая твердым электролитом. В слое диэлектрика толщиной 2-100 нм диспергированы кластеры металла размером 0,5-50 нм, при этом между анодной фольгой и слоем твердого электролита размещено, как минимум, два слоя диэлектрика, разделенных прослойкой из кластеров металла, причем слой диэлектрика сформирован осаждением кластеров металла из гидрозоля посредством импульсных дуговых разрядов последовательно кластеров серебра и кластеров алюминия и/или титана, которые затем на поверхности оболочки окисляют, соответственно, в количестве (мас.%): 1-30 и 70-99. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

2402830
патент выдан:
опубликован: 27.10.2010
ПЛОСКИЙ ОДНОСЛОЙНЫЙ КОНДЕНСАТОР

Изобретение относится к конденсаторам постоянной емкости. Техническим результатом изобретения является снижение трудоемкости изготовления и увеличения надежности конденсаторов. Согласно изобретению контактные узлы образованы продолжением внутренних электродов при их изгибе и соединении с наружной плоскостью внутреннего электрода с образованием замкнутой полости, причем внутренний объем полости заполнен слоем диэлектрика, а на их наружных поверхностях, с противоположных сторон, образованы контактные площадки, каждая длиной не более половины длины контактного узла. 1 ил.

2373594
патент выдан:
опубликован: 20.11.2009
ПЛЕНОЧНЫЙ КОНДЕНСАТОР

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при производстве тонкопленочных гибридных и монолитных интегральных схем при изготовлении тонкопленочных конденсаторов. Техническим результатом изобретения является повышение выхода годных конденсаторов за счет снижения влияния дефектов диэлектрической пленки. Согласно изобретению пленочный конденсатор содержит первую и вторую обкладки, выполненные в виде металлических пленок, расположенный между обкладками диэлектрик, токовыводы, выполненные в виде части металлических пленок, выступающих над торцевыми сторонами диэлектрика, введены второй слой диэлектрика и расположенная между слоями диэлектрика промежуточная металлическая обкладка, состоящая из изолированных фрагментов. 2 ил.

2367046
патент выдан:
опубликован: 10.09.2009
КОНДЕНСАТОР С ПЛЕНОЧНЫМ ДИЭЛЕКТРИКОМ

Изобретение относится к радиоэлектронике, конкретно к электронакопительным устройствам. Конденсатор с пленочным диэлектриком содержит по крайней мере в одном из поперечных сечений линию внешней границы сечения корпуса, и по крайней мере часть линии границы сечения выполнена в виде фрагмента косого конического сечения прямого кругового конуса. При этом обеспечивается конструктивно заложенное изменение линейного размера внешней границы поперечного сечения корпуса. При размещении конденсатора в изделии увеличивается плотность монтажа, повышается надежность крепления деталей в ограниченном объеме и безошибочность монтажа конденсатора в схеме относительно других деталей. Для утилизации конденсатора требуется меньше работы при разрушении корпуса. 29 з.п.ф-лы. 4 ил.
2141145
патент выдан:
опубликован: 10.11.1999
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ)

В полупроводниковом приборе, имеющем ферросэлектрический конденсатор, полученный способом, изложенным в изобретении, прокладка, состоящая из материала с низкой диэлектрической проницаемостью, сформирована на поверхностях сторон множества нижних электродов, выделенных в каждый ячеечный блок, и ферроэлектрическая пленка сформирована на нижних электродах, на которых сформирована прокладка из материала с низкой диэлектрической проницаемостью, и верхний электрод, сформированный на ферроэлектрической пленке, благодаря чему предотвращается пробой, который может быть вызван между соседними нижними электродами. 3 с. и 3 з.п.ф-лы, 10 ил.
2127005
патент выдан:
опубликован: 27.02.1999
Наверх