Разрядные приборы с устройствами для ввода объектов или материалов, подлежащих воздействию разряда, например с целью их исследования или обработки: .электронно-лучевые или ионно-лучевые приборы для местной обработки объектов – H01J 37/30

Изобретение относится к технике ионно-лучевой обработки изделий. Технический результат - обеспечение возможности ионно-лучевой обработки внутренних поверхностей волноводов миллиметрового диапазона и контроля качества обрабатываемых поверхностей. Устройство для ионно-лучевой обработки внутренних поверхностей волноводов миллиметрового диапазона, содержащее источник ионов имплантируемого металла, который герметично скреплен с торцом обрабатываемого объекта, внутрь которого помещен зонд, который с помощью скрещенных электрических полей, создаваемых электродами: фокусирующим, управляющими и тормозящим, соединенными с соответствующими блоками фокусирующего напряжения управляющего напряжения и плюсовой клеммой блока питания, направляет катионы имплантируемого металла на обрабатываемые поверхности объекта. Зонд движется вдоль объекта с помощью управляемого электропривода пошагового перемещения. Количество имплантируемых катионов контролируют путем измерения в блоке эквивалентного заряда катионов адгезируемых с обрабатываемой поверхностью и сравнивают в блоке с количеством, заданным электронной программой обработки блока. 2 ил.

Изобретение относится к изготовлению по меньшей мере одной очищенной подложки, особенно, очищенных таким образом режущих частей инструментов, очищенные подложки которых могут быть подвергнуты дополнительной технологической обработке до и/или после очистки, например, посредством нагрева и/или нанесением на них покрытия. Технический результат - обеспечение повышенной плотности плазменного травления непосредственно у очищаемой области поверхности подложки и достижение улучшенной равномерной очистки как внутри рельефов, так и выступающих частей на рассматриваемой области поверхности, особенно, например, на режущих кромках подложек инструментальных частей. Достигается тем, что очистка подложек плазменным травлением выполняется на установке плазменного разряда, содержащей катодный источник электронов (5) и анодную конструкцию (7). Анодная конструкция (7) содержит, с одной стороны, анодный электрод (9) и, с другой стороны, электрически изолированный от него ограничитель (11). Ограничитель (11) имеет отверстие (13), направленное к подвергаемой очистке области (S) подложки (21). Электропитание к катодному источнику электронов (5) и анодному электроду (9) подается по схеме питания от источника питания (19). Схема управляется в электрическом буферном режиме. 2 н. и 42 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к технике получения электронных и ионных пучков и может быть использовано в электронных и ионных источниках, генерирующих пучки с большим поперечным сечением. Плазменный эмиттер заряженных частиц содержит разрядную камеру с осевым отверстием и каналом напуска газа, формирователь в виде полого цилиндра, эмиссионный электрод, кольцо, размещенное внутри формирователя, и источник напряжения для поддержания потенциала кольца независимо от потенциала формирователя. Кольцо выполнено в виде нескольких электрически изолированных электродов, образованных в результате рассечения по образующим полого усеченного конуса, обращенного торцом меньшего диаметра в сторону отверстия разрядной камеры, и закрепленных симметрично оси эмиттера с возможностью изменения угла наклона к ней и регулирования их электрического потенциала. Технический результат увеличение энергетической эффективности плазменного эмиттера при формировании пучков заряженных частиц с различной формой поперечного сечения с помощью одного и того же эмиттера и увеличение производительности технологической установки за счет возможности формирования пучков не только с симметричным относительно оси распределением плотности тока, но и с несимметричным распределением плотности тока без конструктивных изменений эмиттера. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к плазменной технике, а именно к источникам получения пучка ионов, и может быть использовано в ионно-лучевых технологиях для модификации поверхностей изделий и для нанесения на них тонких пленок SiC, AIN, твердых растворов на их основе и т.д. Двухпучковый ионный источник состоит из корпуса, в котором размещены два независимых источника пучка ионов, формирующих два независимых и не пересекающихся пучка, разнесенных в разные стороны. Конструктивно корпус разделен общим катодом на две соосные изолированные газоразрядные камеры, а каждая газоразрядная камера снабжена своим анодом и системой подачи рабочего газа, причем общий катод электрически связан с корпусом. Технический результат - создание двух независимых и непересекающихся пучков, разнесенных в разные стороны в едином ионном источнике. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Группа изобретений относится к электронике, в частности к устройствам, предназначенным для электронно-лучевой обработки, сварки и пучковой плазмохимической модификации конструкционных материалов в среде при давлении в рабочей камере от 10 ² Па до 10^-2 Па. Инжектор электронов предусматривает конструкцию вакуумного корпуса и размещенной в нем на оси пролетного канала с возможностью скольжения системы дифференциальной откачки (СДО), которая разделена на короткие участки полыми конусными диафрагмами, что позволит уменьшить длину тракта транспортировки электронного пучка, обеспечить эффективную откачку объемов электронной пушки и участков СДО, устранить возможность экранирования системы управления электронным пучком и влияния наведенных магнитных полей на управляющее магнитное поле. Выбор места расположения первой по направлению движения электронного пучка диафрагмы и размера отверстия в ее меньшем основании позволяет уменьшить воздействие потока ионов на узлы электронной пушки. Указанное в совокупности позволяет увеличить полезную мощность электронного пучка, обеспечить надежную работу электронной пушки и инжектора в целом, обеспечить эффективное и надежное управление пучком. Конструктивные особенности рабочей камеры электронно-лучевой установки в сочетании с предлагаемым инжектором позволят расширить функциональные возможности установки за счет использования энергии пучка для нагрева, возбуждения и поддержания различных видов разряда в среде при одновременном использовании рассеянных электронов в технологических процессах, а также обеспечить надежную работу устройств за счет возможности проведения контроля и регулирования параметров электронного пучка и технологических параметров в рабочей камере. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к электротехнике, в частности к приборам и устройствам для термообработки материалов и изделий. Электронно-лучевая пушка для нагрева материалов в вакууме содержит цилиндрическую стойку с высоковольтным разъемом, системой охлаждения, в которой установлен вакуумно-плотный изолятор катодно-подогревательного узла, анодный фланец и лучевод, выполненный в виде герметичной капсулы с встроенными линзами. Система охлаждения выполнена в виде двух контуров, один из которых содержит водяной дроссель, сопротивление и каналы охлаждения держателей термокатода и нагревателя. Второй контур выполнен в виде герметичного кольцевого фланца, сопряженного с водяной рубашкой лучевода. Вакуумная камера осесимметрично охватывает капсулу лучевода. Переходник для соединения лучевода с технологической камерой выполнен в виде водоохлаждаемого патрубка, охваченного двухполюсной магнитной линзой, сопряженной с конусной вставкой. Технический результат: повышение надежности и ресурса при одновременном расширении функциональных возможностей, а также увеличение удельной мощности пучка. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.