Разрядные приборы с устройствами для ввода объектов или материалов, подлежащих воздействию разряда, например с целью их исследования или обработки: ..для изменения свойств объектов или для нанесения тонких слоев на них, например ионное внедрение – H01J 37/317

Изобретение может быть использовано в электронике, в частности в технологии изготовления полупроводниковых приборов на карбиде кремния, а также в области модифицирования поверхности ионной имплантацией для получения износо- и коррозионно-стойких материалов. Способ ионной имплантации включает создание плазмы внутри рабочей камеры и подачу импульсного ускоряющего напряжения, согласно изобретению имплантацию проводят из импульсной лазерной плазмы, содержащей многозарядные ионы, импульсное ускоряющее напряжение подают либо на подложку, либо на мишень, при этом задержку между лазерным импульсом и импульсом ускоряющего напряжения определяют по расчетной формуле, связывающей расстояние от мишени до подложки, скорость центра масс компоненты с максимальным зарядом, температуру ионной компоненты с максимальным зарядом, массу и постоянную Больцмана. Предлагаемое изобретение обеспечивает увеличение круга имплантируемых веществ, а также осуществление селективной имплантации многозарядных ионов. 3 з.п. ф-лы. 6 ил.

Изобретение относится к устройству и способу для изменения свойств трехмерной фасонной детали (2) посредством электронов, содержащему по меньшей мере один ускоритель (3а; 3b) электронов для генерирования ускоренных электронов и два окна (5а; 5b) выхода электронов, при этом оба окна (5а; 5b) выхода электронов размещены друг против друга, при этом оба окна (5а; 5b) выхода электронов и по меньшей мере один отражатель (7a1; 7a2; 7b1; 7b2) ограничивают технологическую камеру, в которой поверхность или краевой слой фасонной детали (2) бомбардируют электронами, при этом посредством сенсорной системы регистрируется распределение плотности энергии в технологической камере по меньшей мере по одному пространственному измерению. Технический результат - равномерная модификация всей поверхности или краевого слоя фасонной детали, повышение производительности установки. 3 н.п. и 22 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к устройству имплантации ионов азота в деталь (5) из алюминиевого сплава и способу обработки алюминиевого сплава и может найти применение в области обработки пластмасс при изготовлении пресс-форм из алюминиевого сплава. Устройство содержит источник (6) ионов, поставляющий ионы азота, ускоряемые вытягивающим напряжением, и первые средства (7-11) регулировки начальным пучком (f1') ионов, испускаемых упомянутым источником (6), с формированием имплантирующего пучка (f1). Источник (6) является источником на основе электронного циклотронного резонанса, производящим начальный пучок (f1') полиэнергетических ионов, которые имплантируются в деталь (5) при температуре менее 120°С. Имплантацию этих полиэнергетических ионов имплантирующего пучка (f1), регулируемого посредством упомянутых средств (7-11) управления, осуществляют одновременно на глубину, регулируемую вытягивающим напряжением источника, позволяет улучшить механические свойства детали. 3 н. и 13 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к способу изготовления подложки, снабженной слоем резиста с рельефной структурой, воспроизводящей дифракционную структуру. К слою резиста по меньшей мере на отдельных участках примыкает проводящий слой, который при экспонировании слоя резиста электронным лучом рассеивает первичные электроны и/или эмиттирует вторичные электроны. При осуществлении этого способа материал слоя резиста и материал проводящего слоя, а также параметры экспонирования согласуют между собой с таким расчетом, чтобы слой резиста подвергался экспонированию и вне зоны воздействия электронного луча таким образом, чтобы у получаемой таким путем рельефной структуры образующие ее рельефные элементы имели наклонные боковые поверхности. Предложенный способ позволяет простым путем получить рельефные структуры, рельефные элементы которых имеют пологие боковые поверхности с острым углом подъема, составляющим предпочтительно менее 89°, и создавать в слое резиста пологие структуры типа голограмм. 5 н. и 17 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к плазменной технике и предназначено для вакуумного ионно-плазменного нанесения тонких пленок металлов и их соединений на поверхность твердых тел. Предложенная магнетронная система содержит камеру, анод, катод-мишень и магнитный блок, содержащий магнитопровод и постоянные магниты. Катод-мишень и магнитный блок выполнены протяженными, внутри катода-мишени расположен магнитный блок, содержащий магнитопровод, на котором расположены три параллельных ряда постоянных магнитов с различной остаточной индукцией магнитного поля, боковые ряды магнитов замкнуты на концах концевыми магнитами и имеют полярность, обратную полярности центрального ряда магнитов, при этом величина остаточной индукции магнитного поля постоянных магнитов вблизи концов магнитного блока на 5-15% выше, чем в центральной части. В частных воплощениях изобретения стенки камеры являются анодом; катод-мишень выполнен в виде вращающегося цилиндра, а магнитный блок неподвижно расположен внутри него. Техническим результатом изобретения является увеличение зоны однородного нанесения покрытия без увеличения габаритных размеров магнетронной распылительной системы. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.

Изобретение относится к радиационному материаловедению и предназначено для изменения механических, химических, электрофизических свойств приповерхностных слоев металлов, сплавов, полупроводников, диэлектриков и других материалов путем нанесения покрытий или изменения состава поверхностных слоев ионной имплантацией. Плазму формируют непрерывным вакуумно-дуговым разрядом, затем из нее импульсно-периодически ускоряют ионы и образцы облучают поочередно ионами и плазмой с регулировкой соотношения доз облучения. На разных стадиях технологического процесса из плазмы дугового разряда формируют длинноимпульсный поток ускоренных ионов с длительностью ионного потока 100-400 мкс и заполнением 1-8% и/или короткоимпульсный поток ионов с длительностью в диапазоне от 0,1 до 10 мкс с заполнением импульсов (8-99)%. Длинноимпульсный поток ионов формируют путем приложения ускоряющего напряжения между элементами дугового источника. Короткоимпульсный поток ускоренных ионов формируют путем подачи на образцы импульсов напряжения отрицательной полярности с амплитудой в диапазоне (100-10⁴) В, с длительностью импульсов в диапазоне 0,1-10 мкс, с частотой следования импульсов 810³-9,910⁶ имп/с. Для расширения номенклатуры покрытий образцы облучают от дополнительных источников металлической или газовой плазмой. Способ позволяет проводить различные стадии технологического процесса в одной установке, наносить проводящие и непроводящие покрытия на металлы и диэлектрики. 17 з.п.ф-лы, 9 ил.