Разрядные приборы с устройствами для ввода объектов или материалов, подлежащих воздействию разряда, например с целью их исследования или обработки: .газонаполненные разрядные приборы – H01J 37/32

Изобретение относится к устройству зажигания для зажигания разряда током большой силы электродугового испарителя в установке нанесения покрытий вакуумным напылением. Зажигание осуществляется посредством механического замыкания и размыкания контакта между катодом и анодом. Контакт устанавливается посредством пальца зажигания, перемещаемого по вынужденной траектории. С помощью вынужденной траектории палец зажигания посредством простого механического привода переводится в положение ожидания, защищенное от воздействия наносимого покрытия, и, кроме того, может использоваться для зажигания второй мишени. Технический результат - упрощение устройства.2 н. и 7 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к способу эксплуатации источника дуги, причем электрический искровой разряд поджигается и управляется на поверхности мишени (5), и искровой разряд управляется одновременно постоянным током, которому сопоставлено постоянное напряжение DV, и вырабатываемым посредством периодически прикладываемого сигнала напряжения импульсным током. При этом напряжение на источнике дуги повышается за несколько микросекунд, а форма сигнала напряжения, по существу, является свободно выбираемой. Технический результат - повышение напряжения искрового разряда. 3 н. и 18 з.п.ф-лы, 5 ил.

Устройство для плазменной обработки больших областей содержит, по меньшей мере, одну плоскую антенну (A), имеющую множество взаимосвязанных элементарных резонансных замкнутых контуров (M1, M2, M3), причем каждый из замкнутых контуров (M1, M2, M3) содержит, по меньшей мере, два электропроводных участка (1,2) цепи и, по меньшей мере, два конденсатора (5, 6). Высокочастотный генератор возбуждает антенну (A), по меньшей мере, на одной из ее резонансных частот. Рабочая камера находится вблизи с антенной (A). Антенна (A) производит диаграмму направленности электромагнитного поля с однозначно определенной пространственной структурой, которая позволяет хорошо управлять возбуждением плазмы. Технический результат - повышение качества обработки. 13 з.п. ф-лы, 18 ил.

Изобретение относится к области обработки материалов посредством ионной бомбардировки. Обеспечены планетарные устройства (22) для перемещения для заготовок, установленные на вращающемся устройстве (19) внутри вакуумной камеры. Обеспечен источник (24) облака, включающего ионы, (CL), таким образом, что центральная ось (ACL) облака пересекает ось вращения (А20) вращающегося устройства (19). Облако (CL) имеет распределение плотности ионов на траектории перемещения (Т) планетарных осей (А22), которое уменьшается до 50% от максимальной плотности ионов на расстоянии от указанной центральной оси (ACL), которое не более половины диаметра планетарных устройств (22) для перемещения. Когда заготовки на планетарных устройствах (22) для перемещения вытравливаются облаком, включающим ионы, материал, который вытравливается, практически не осаждается повторно на соседние планетарные устройства для перемещения, а, скорее, выбрасывается в направлении стенки вакуумной камеры. Технический результат - повышение эффективности травления. 2 н. и 21 з.п. ф-лы, 15 ил.

Изобретение относится к области плазменной обработки поверхности. Способ заключается в том, что придают конструктивному элементу или конструктивным элементам (1), по меньшей мере, одно вращательное движение относительно, по меньшей мере, одного ряда неподвижно расположенных в линию элементарных источников (2), причем ряд или ряды расположенных в линию элементарных источников (2) размещают параллельно оси конструктивного элемента или осям вращения конструктивных элементов. Технический результат - повышение однородности обработки на множестве поверхностей конструктивных элементов. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области плазменной обработки. При обработке поверхностей подложек или обрабатываемых деталей с помощью вакуумного плазменного разряда между анодом (9) и катодом (7) образуется и осаждается на анодной поверхности (21) твердое вещество (19), которое имеет более высокий удельный импеданс по постоянному току, чем удельный импеданс по постоянному току материала анода. По меньшей мере, части анодной поверхности экранируют от такого осаждения установлением на них экранирующей плазмы (25). Раскрыты также варианты вакуумных источников плазмы, реализующие заявленный способ. Технический результат - расширение функциональных возможностей источника плазмы. 3 н. и 33 з.п. ф-лы, 16 ил.

Изобретение относится к системам для химического осаждения плазмой. Заявленная система характеризуется тем, что выборочные поверхности трубчатых основ могут быть подвергнуты обработке для осаждения тонких пленок целевого вещества, где один из электродов, применяемых в плазменной системе, образован основой или заготовкой. Техническим результатом является обеспечение возможности уменьшения габаритов используемых плазменных реакторов. 7 з.п. ф-лы, 7 ил.

Настоящее изобретение относится к способу и устройству для нанесения покрытия из алмазоподобного углерода с толщиной слоя от 20 до 1500 нанометров преимущественно на сверла, фрезы, лезвия и т.п. Предложенный способ включает этапы: i) предоставления подложки, содержащей материал, который имеет сродство с углеродом, ii) очистки поверхности подложки, iii) напыления на поверхность слоя, содержащего металл, iv) ионной бомбардировки поверхности с покрытием, v) напыления слоя углерода на поверхность, а предложенное устройство согласно изобретению имеет несколько реакционных камер, расположенных в ряд, через которые перемещают кассету с обрабатываемым инструментом. Кроме того, настоящее изобретение относится к покрытию с алмазоподобным слоем, нанесенным на подложку, имеющую слой титана, причем слой углерода и слой титана частично находят друг на друга и слой углерода имеет градиент концентрации атомов углерода от 0 до 100%. Повышение производительности способа, а также увеличение твердости и однородности полученного покрытия из алмазоподобного углерода являются техническим результатом изобретения. 3 н. и 30 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к устройствам локального травления тонких пленок микроэлектроники. Устройство содержит вакуумную камеру с крышкой, два электрода, системы откачки и напуска плазмообразующего газа, верхний электрод установлен на плите и снабжен шаблоном, установленным на съемной втулке, закрепленной на электроде, и механизмом регулирования параллельности двух электродов относительно друг друга, выполненным в виде трех микрометрических головок, жестко установленных в отверстиях упомянутой плиты с возможностью взаимодействия нижним концом через шаровые опоры соответственно с тремя вертикальными стойками, закрепленными на основании камеры. На каждой стойке выполнены подвижные упоры, взаимодействующие с механизмом регулирования зазора между двумя электродами, выполненным в виде прецизионного подъемника, на котором установлен нижний электрод, являющийся подложкодержателем. Устройство позволяет упростить процесс формирования структур, повысить скорость травления, обеспечивает равномерность травления за счет использования безмасочного процесса травления и позволяет снизить затраты электроэнергии и расход плазмообразующего газа. 4 ил.

Изобретение относится к электродуговым источникам и может быть использовано для искрового напыления. Технический результат состоит в повышении коэффициента использования мишени и уменьшении образования брызг. Электродуговой источник содержит мишень (1), переднюю поверхность (2) мишени для вакуумного испарения материала мишени, заднюю сторону мишени с охлаждающей пластиной (4), центральную зону (Z) мишени и кромку мишени. Этот электродуговой источник содержит также магнитное приспособление (8, 9), содержащее внутреннюю магнитную систему (8) и/или наружную магнитную систему (9), для создания магнитного поля поблизости от передней поверхности мишени. При этом по меньшей мере одна из магнитных систем (8) поляризована радиально и приводит, в отдельности или в сочетании с соответствующей другой магнитной системой, к тому, что силовые линии магнитного поля проходят там по существу параллельно передней поверхности (2) мишени. 3 н. и 28 з.п. ф-лы, 27 ил., 2 табл.

Настоящее изобретение предоставляет микроволновые плазменные системы с сопловыми решетками и способы для выбора конфигурации микроволновых плазменных сопловых решеток. Микроволны передаются в микроволновый резонатор особым способом и формируют интерференционный узор, который включает в себя области высоких энергий в пределах микроволнового резонатора. Областями высоких энергий управляют посредством фаз и длины волны микроволн. Множество сопловых элементов предоставляется в виде решетки. Каждый из сопловых элементов имеет участок, частично расположенный в микроволновом резонаторе, принимающий газ для пропускания через себя. Сопловые элементы принимают энергию микроволн из одной из областей высоких энергий. Каждый из сопловых элементов включает в себя стержневой проводник, имеющий наконечник, на котором фокусируются микроволны, и таким образом генерируется плазма с использованием принятого газа. 7 н. и 75 з.п. ф-лы, 15 ил.

Изобретение относится к способам для зажигания, формирования и удержания плазмы из газов, используя катализатор. Технический результат заключается в возможности снижения стоимости энергии и увеличения эффективности теплообработки и гибкости в сопровождаемом плазмой производстве. В одном примере осуществления изобретения плазма зажигается путем подвергания газа в многомодовой обрабатывающей полости воздействию электромагнитного излучения с частотой между 1 МГц и 333 ГГц в присутствии плазменного катализатора, который может быть пассивным или активным. Пассивный плазменный катализатор может включать, например, любой объект, способный индуцировать плазму путем деформации местного электрического поля. Активный плазменный катализатор может включать любую частицу или высокоэнергетический волновой пакет, способные передавать достаточное количество энергии на газообразный атом или молекулу для удаления, по крайней мере, одного электрона из газообразного атома или молекулы в присутствии электромагнитного излучения. 4 н. и 44 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение касается разработки способа, обеспечивающего непрерывную очистку поверхности подложки без образования экологически токсичных сопутствующих продуктов со скоростью обработки, превышающей 10 м/мин. Способ включает помещение материала в зону обработки, питаемую газовым потоком, содержащим кислород, подключение материала к массе, генерирование плазмы путем размещения электрического поля между материалом и по меньшей мере одним электродом, покрытым диэлектриком, при этом электрическое поле является импульсным и содержит последовательность импульсов с положительными и отрицательными значениями напряжения по отношению к материалу, при этом максимальное напряжение положительных импульсов U+ превышает значение напряжения возникновения дуги Ua, а максимальное напряжение отрицательных импульсов U- меньше по абсолютной величине напряжения возникновения дуги Ua. Устройство для осуществления способа содержит средства перемещения полосы материала, подключенной к массе, ряд электродов, покрытых диэлектриком и расположенных напротив обрабатываемой поверхности указанной полосы и соединенных с генератором, средства подачи газа, расположенные вблизи поверхности полосы, и средства удаления газообразных продуктов разложения органического вещества, покрывающего полосу. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 8 ил., 1 табл.

Изобретение относится к технологическому оборудованию для изготовления полупроводниковых приборов. Камера плазменной обработки (200), обеспечивающая усовершенствование методики регулирования давления над полупроводниковой пластиной (206) представляет собой вакуумную камеру (212, 214, 216), соединенную с устройством для возбуждения и удержания плазмы. Частью этого устройства являются источник газа-травителя (250) и выпускной канал (260). Границы области над полупроводниковой пластиной определяет ограничительное кольцо. Давление над полупроводниковой пластиной зависит от падения давления в ограничительном кольце. Ограничительное кольцо является частью регулятора давления над полупроводниковой пластиной, который обеспечивает возможность получения более чем 100% области регулирования давления над полупроводниковой пластиной. Такой регулятор давления над полупроводниковой пластиной может представлять собой три регулируемых ограничительных кольца (230, 232, 234) и ограничительный блок (236) на держателе (240), который может быть использован с целью обеспечения требуемого регулирования давления над полупроводниковой пластиной. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 13 ил.