Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного, специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы таких приборов: .характеризующиеся полупроводниковыми телами – H01L 33/02

Изобретение относится к материалам-преобразователям для флуоресцентных источников света. Предлагается люминесцентный материал для светоизлучающего прибора, включающий (Y,Gd)-содержащий материал наночастиц, связанный с по меньшей мере одной молекулой органического лиганда. Предлагается также светоизлучающий прибор, в частности светоизлучающий диод, включающий указанный люминесцентный материал, и система, включающая указанный люминесцентный материал и/или указанный светоизлучающий прибор. Предложенный люминесцентный материал обладает адаптацией к различным длинам волн испускания полупроводника и областям применения светоизлучающего диода. 3 н. и 7 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области нанотехнологий и наноматериалов. Разработан способ получения нанокристаллического кремния, обладающего яркой устойчивой фотолюминесценцией в видимой области спектра в массовых количествах, что открывает возможности применения этого материала в медицине и биологии для флуоресцентной диагностики, фотодинамической и фототермической терапии, фотохимической стерилизации запасов крови, а также в экологии для очистки воды от органических загрязнений и патологической микрофлоры. Способ получения нанокристаллического кремния согласно изобретению включает реакцию спекания при температуре ~800 К тонкоизмельченного силицида магния и аэросила с последующим растворением и вымыванием оксида магния в подкисленном водном растворе, с последующей очисткой нанокристаллического кремния осаждением этанолом и растворением в трихлорметане. Изобретение обеспечивает получение нанокристаллического кремния, обладающего устойчивой яркой люминесценцией, максимум интенсивности которой возможно сдвигать в области от 750 нм до 550 нм, а также позволяет получать частицы нанокристаллического кремния, сохраняющие люминесцентные свойства при высоких, до ~650 К, температурах в массовых количествах без использования дорогих и легковоспламеняющихся веществ. 2 ил.

Изобретение относится к светоизлучающим диодам, которые используются в оптической связи, в оптических компьютерах и т.п. Диод содержит гетероструктуру, включающую подложку, излучающий слой, сильнолегированный атомами переходных элементов группы железа Периодической системы полупроводниковый слой с ферромагнитными свойствами, нелегированный полупроводниковый слой и базовый и инжектирующий электроды. Слой с ферромагнитными свойствами расположен над излучающим слоем, а нелегированный полупроводниковый слой расположен между слоем с ферромагнитными свойствами и инжектирующим электродом. Диод может содержать также дополнительные слои, улучшающие параметры диода и не блокирующие эффект спиновой поляризации носителей в такой гетероструктуре. Преимущества диода согласно изобретению заключаются в повышении интенсивности и степени круговой поляризации излучения, формируемого диодом. 8 з.п. ф-лы, 3 ил.