Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного, специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы таких приборов: ..со структурой с квантовыми эффектами или сверхрешеткой, например с туннельным переходом – H01L 33/04

Изобретение относится к полупроводниковым светоизлучающим приборам, предназначенным для использования в современных телекоммуникационных системах связи, устройствах передачи информации, индикаторных устройствах, системах детектирования и т.п. Прибор согласно изобретению содержит подложку, активные слои p-типа и n-типа проводимости, между которыми расположена легированная редкоземельным элементом излучающая зона, включающая, по меньшей мере, два излучающих слоя, разделенных дополнительными слоями p-типа и n-типа проводимости. Активные слои и каждый из дополнительных слоев выполнены сильнолегированными. Техническим результатом, получаемым при использовании изобретения, является повышение выходной мощности светоизлучающего прибора на основе полупроводниковых материалов, легированных примесями редкоземельных элементов, с обеспечением высокой стабильности выходных параметров при комнатной температуре за счет формирования в рабочей области прибора встроенного электрического поля с новой конфигурацией распределения вдоль полупроводниковой структуры. Прибор легко интегрируется в конкретные схемы опто- и микроэлектроники, в том числе в схемы на основе кремния. 6 з.п. ф-лы, 4 ил.