Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного, специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы таких приборов: ..с особенной структурой кристалла или ориентацией, например поликристаллической, аморфной или пористой – H01L 33/16

Изобретение относится к светотехнике, а именно изготовлению светоизлучающих полупроводниковых приборов на подложке из аморфного минерального стекла. Стекловидная композиция на основе минерального стекла, содержащего окислы элементов II, и/или III, и/или IV группы периодической системы, отличается тем, что поверхность стекла покрыта выращенным слоем электропроводящего и светоизлучающего полупроводникового соединения типа A²B⁵ , и/или A²B⁶, и/или А³В ⁵, и/или А⁴В⁶. Также предложен способ изготовления стекловидной композиции на основе минерального стекла, содержащего окислы элементов I,I и/или III, и/или IV группы периодической системы, в котором для образования на стеклянной поверхности слоя электропроводящего и светоизлучающего соединения типа А ²В⁵, и/или А²В⁶, и/или А³В⁵, и/или А⁴В⁶ стекло подвергают термообработке путем нагрева в инертном газе при температуре 500-5000°С, легируют стекло до или в процессе термообработки элементами V и/или VI группы, удаляют кислород из зоны термообработки. Изобретение обеспечивает возможность формирования прогнозируемых полупроводниковых соединений различного состава. 2 н. и 4 з.п. ф-лы.

Настоящее изобретение относится к технологиям роста и структурам устройств для полупроводниковых светоизлучающих устройств. Способ изготовления светоизлучающего устройства согласно изобретению содержит этапы, на которых выращивают III-нитридную структуру на подложке, при этом III-нитридная структура содержит шаблон, в свою очередь содержащий первый слой, выращенный непосредственно на подложке, при этом в первом слое, по существу, не содержится индий; второй слой, выращенный над первым слоем, при этом второй слой является немонокристаллическим слоем, содержащим индий; и третий слой, выращенный над вторым слоем и в непосредственном контакте со вторым слоем, при этом третий слой является немонокристаллическим слоем, содержащим индий; и слои устройства, выращенные поверх шаблона, слои устройства, содержащие III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа. Также предложен еще один вариант способа изготовления светоизлучающего устройства. Изобретение обеспечивает уменьшение напряжения в светоизлучающем устройстве, что может улучшить рабочие характеристики устройства. 2 н. и 27 з.п. ф-лы, 19 ил.

Настоящее изобретение касается технологий выращивания и структур устройств для полупроводниковых светоизлучающих устройств. Способ изготовления светоизлучающего устройства согласно изобретению включает выращивание III-нитридной структуры на подложке, причем данная III-нитридная структура содержит: структуру, содержащую: первый слой 22, выращенный непосредственно на подложке, причем первый слой, по существу, свободен от индия; первый, по существу, монокристаллический слой 24, выращенный над данным первым слоем; второй слой 26, выращенный над первым, по существу, монокристаллическим слоем, при этом второй слой является не монокристаллическим слоем, содержащим индий; второй, по существу, монокристаллический слой 28, выращенный над вторым слоем 26; третий, по существу, монокристаллический слой, расположенный между первым слоем 22 и вторым слоем 26; и слои устройства, выращенные над шаблоном, причем слои устройства содержат III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа. Также предложен еще один вариант способа изготовления светоизлучающего устройства. Изобретение обеспечивает снижение деформации в данном устройстве, в частности в светоизлучающем слое. 2 н. и 17 з.п. ф-лы, 19 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов, более конкретно к полупроводниковым светодиодам. Полупроводниковый светоизлучающий прибор, выполненный на основе диоксида кремния, включает подложку, нижний и верхний электроды, а также сформированные в процессе магнетронного распыления слои, образующие полупроводниковую гетероструктуру с р-n-переходом. Слой активной области с р-n-переходом выполнен из пористого диоксида кремния (SiO₂ ^M). Ширина запрещенной зоны слоя активной области с р-n-переходом >4 эВ. Изобретение обеспечивает возможность достигнуть излучения света в ультрафиолетовом диапазоне спектра излучения, обеспечивает высокую яркость, упрощение конструкции и технологии изготовления полупроводникового светоизлучающего прибора. 1 пр., 1 ил.

Изобретение может быть применено в электронных или оптоэлектронных приборах. Прибор согласно изобретению содержит: III-нитридную структуру, содержащую: первый слой (22), причем этот первый слой практически не содержит индия; второй слой (26), выращенный поверх первого слоя, причем этот второй слой является немонокристаллическим слоем, содержащим индий; третий слой 22, расположенный между первым слоем 22 и вторым слоем 26, и в непосредственном контакте с первым слоем, причем этот третий слой является немонокристаллическим слоем, практически не содержащим индия, и приборные слои (10), выращенные поверх второго слоя, причем приборные слои содержат III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа. Также предложены еще три варианта выполнения III-нитридного светоизлучающего прибора. Изобретение обеспечивает уменьшение деформации в приборе, что в свою очередь улучшает рабочие характеристики прибора. 4 н. и 12 з.п. ф-лы, 19 ил.