Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного, специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы таких приборов: ..с особенной формой, например искривленной или усеченной подложкой – H01L 33/20

Изобретение относится к светоизлучающим диодам, смонтированным методом перевернутого кристалла. Способ изготовления светоизлучающего устройства согласно изобретению содержит следующие этапы: обеспечивают перевернутый кристалл светоизлучающего диода (СИД) на подложке, при этом кристалл СИД находится между платой и подложкой, причем подложка шире и длиннее, чем кристалл СИД, обеспечивают изолирующий прокладочный материал между кристаллом СИД и платой и вокруг краев кристалла СИД и подложки; снимают подложку с кристалла СИД, размещают оптический элемент поверх открытой поверхности кристалла СИД после того, как подложка снята, причем, по меньшей мере, участки краев оптического элемента находятся внутри стенок из прокладочного материала, оптический элемент имеет предварительно отформованную форму перед размещением, размер по длине оптического элемента меньше, чем размер по длине внутренних границ стенок, и размер по ширине оптического элемента меньше, чем размер по ширине внутренних границ стенок, все края предварительно отформованного оптического элемента выступают за края кристалла СИД. Также согласно изобретению предложено светоизлучающее устройство. Изобретение обеспечивает повышение эффективности излучения. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 8 ил.

Предложен полупроводниковый светоизлучающий прибор с высокой надежностью и превосходными характеристиками распределения света. Полупроводниковый светоизлучающий прибор 1 содержит n-электрод 50, размещенный на световыделяющей поверхности на стороне, противоположной поверхности полупроводниковой стопы 40, которая устанавливается на подложке 10. Множество выпуклостей выполнено в области 80 первых выпуклостей и в области 90 вторых выпуклостей на световыделяющей поверхности. Область 90 вторых выпуклостей примыкает к границе раздела между n-электродом 50 и полупроводниковой стопой 40, между областью 80 первых выпуклостей и n-электродом 50. Основание первой выпуклости, выполненной в области 80 первых выпуклостей, расположено ближе к светоизлучающему слою 42, чем к границе раздела между n-электродом 50 и полупроводниковой стопой 40, а основание второй выпуклости, выполненной в области 90 вторых выпуклостей, расположено ближе к границе раздела между n-электродом 50 и полупроводниковой стопой 40, чем к основанию первой выпуклости. Настоящее изобретение обеспечивает возможность получения полупроводникового светоизлучающего прибора, который имеет высокую надежность и превосходное распределение света. 2 н. и 18 з.п. ф-лы, 13 ил.