Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного, специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы таких приборов: ...шероховатые поверхности, например на границе между эпитаксиальными слоями – H01L 33/22

МПКРаздел HH01H01LH01L 33/00H01L 33/22
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 33/00 Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов
H01L 33/22 ...шероховатые поверхности, например на границе между эпитаксиальными слоями

Патенты в данной категории

ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО СО СТРУКТУРАМИ ВЫВОДА СВЕТА

Полупроводниковое светоизлучающее устройство содержит полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа; отражательный металлический контакт, расположенный на нижней стороне полупроводниковой структуры и электрически присоединенный к области p-типа; материал, расположенный между по меньшей мере частью отражательного металлического контакта и областью p-типа, причем разность между показателем преломления материала и показателем преломления области p-типа имеет значение по меньшей мере 0,4; в котором по меньшей мере часть верхней стороны полупроводниковой структуры текстурирована; расстояние между текстурированной частью верхней стороны полупроводниковой структуры и отражательным металлическим контактом является меньшим чем 5 мкм; полупроводниковая структура включает в себя объемные резонаторы, заполненные металлом, объемные резонаторы направляют первый свет, падающий под первым углом падения, во второй свет, падающий под вторым углом падения, второй угол падения является меньшим, чем первый угол падения; первый набор объемных резонаторов содержит металл, соприкасающийся с отражательным металлическим контактом и имеет боковые стенки, которые полностью облицованы диэлектрическим материалом для изоляции первого набора объемных резонаторов от области n-типа; и второй набор объемных резонаторов имеет боковые стенки, которые частично облицованы диэлектрическим материалом, так что металл соприкасается с n-областью и изолирован от p-области и отражательного металлического контакта. Также предложен второй вариант полупроводникового светоизлучающего устройства. Устройства согласно изобретению могут увеличивать вывод света, испускаемого под углами падения скольжения. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 15 ил.

2491682
патент выдан:
опубликован: 27.08.2013
Наверх