Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного, специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы таких приборов: ...содержащие только элементы III группы и V группы периодической системы – H01L 33/30

Изобретение относится к полупроводниковой технике. Способ включает измерение значения спектральной плотности низкочастотного шума каждого светодиода при подаче напряжения в прямом направлении и плотности тока из диапазона 0.1<J<10 А/см² до и после проведения процесса старения светодиода, осуществляемого в течение времени не менее 50 часов. Старение проводят при температуре p-n-перехода из интервала T_J=50-150°С, температуре окружающей среды из интервала T_b=25-120°С, плотности тока J через светодиод при подаче напряжения в прямом направлении из интервала J=35-100 А/см². Светодиоды со сроком службы менее 50000 часов выявляют по превышению уровня их спектральной плотности низкочастотного шума после процесса старения более чем на порядок по сравнению с значениями до процесса старения. Изобретение обеспечивает возможность расширения области применения за счет отбраковки светодиодов со сроком службы менее 50000 часов для светодиодов любых производителей, а также ускорения (оперативности) процесса отбраковки. 5 пр.

Изобретение может быть использовано при изготовлении твердотельных компактных мощных генераторов субтерагерцового и терагерцового диапазонов частот. Гетеропереходная структура согласно изобретению представляет собой совокупность чередующихся пар узкозонных (GaAs, либо GaN) и широкозонных (соответственно, Ga_1-x Al_x As, либо Ga_1-xAl _xN) полупроводниковых слоев. Толщины чередующихся узкозонных и широкозонных слоев выбираются одинаковыми в диапазоне 30 100 нм, узкозонные GaAs и GaN слои многослойной гетероструктуры легируются донорами до концентраций 5·10¹⁷ 1·10¹⁸ см^-3, а широкозонные слои Ga_1-xAl_xAs и Ga_1-xAl _xN не легируются, количество периодов пар чередующихся GaAs и Ga_1-x Al_x As (и, соответственно, GaN и Ga_1-xAl_xN) слоев мультислойной гетероструктуры выбирается от трех до нескольких десятков, мольная доля арсенида алюминия для всех слоев арсенида галлия - арсенида алюминия выбирается из диапазоне 0,20 0,35, а мольная доля нитрида алюминия для всех слоев нитрида галлия - нитрида алюминия выбирается из диапазона 0,35 0,65, при этом в слое Ga_1-x Al_x As (для системы GaAs-AlAs) и в слое Ga_1-xAl_x N (для системы GaN-AlN) из пары, наиболее удаленной от подложки, мольная доля арсенида алюминия (соответственно, нитрида алюминия) понижена и составляет около 0.7·Х, а сам этот слой покрыт более толстым (не менее 150 нм) легированным GaAs (соответственно, GaN) слоем. Вариантом заявляемой структуры может быть структура, в которой в слое твердого раствора из пары, ближайшей к подложке, мольная доля арсенида алюминия (соответственно, нитрида алюминия) составляет (0,65 0,75)·Х. Изобретение обеспечивает существенное увеличение мощности твердотельных генераторов субтерагерцового и терагерцового диапазона частот излучения 2 н.п. ф-лы, 2 ил.

Полупроводниковые светоизлучающие устройства широко применяются в качестве источников света во многих приложениях, которые требуют низкого потребления энергии, малого размера и высокой надежности. Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего устройства согласно изобретению содержит этапы, на которых: выращивают полупроводниковую структуру, содержащую AlGaInP светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа, на подложке роста; формируют n- и p-контакты, электрически соединенные с областями n- и p-типа полупроводниковой структуры, причем оба контакта расположены на одной стороне полупроводниковой структуры и причем, по меньшей мере, один из n- и p-контактов является отражающим; присоединяют данную полупроводниковую структуру к креплению; и после присоединения полупроводниковой структуры к креплению удаляют подложку роста; причем данная полупроводниковая структура содержит контактный слой p-типа, расположенный между данной областью p-тина и данным p-контактом; и часть данного контактного слоя p-типа легируют до концентрации дырок, по меньшей мере, 5×10¹⁸ см^-3 для обеспечения электрического контакта. Также предложено полупроводниковое светоизлучающее устройство, изготовленное описанным выше способом. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к способам, специально предназначенным для изготовления приборов для светового излучения методом хлоридно-гидридной эпитаксии. Согласно изобретению потоки химически активных газов, каждый из которых содержит один из металлов третьей группы, подают в рабочую зону параллельно оси реактора. Слои с различным количественным соотношением металлов третьей группы получают путем изменения расходов газов. На период изменения расходов подложку перемещают из рабочей зоны в зону приостановки роста. Перед началом осаждения первого слоя в рабочую зону подают одновременно поток химически активного газа, содержащего галлий, и поток аммиака для осаждения на стенках реактора депозитов нитрида галлия. Депозиты нитрида галлия защищают кварцевые стенки реактора от паразитных реакций с газообразными хлоридами алюминия. Аммиак подают в рабочую зону одновременно параллельно направлению подачи химически активных газов и со стороны, противоположной направлению подачи газовых потоков, содержащих металлы третьей группы, сверху вниз по отношению к поверхности подложки. Подача аммиака с двух сторон позволяет гибко и оперативно варьировать условия роста полупроводниковых слоев на основе нитрида металлов третьей группы, а также практически исключить в процессе осаждения слоев отрыв потока аммиака от поверхности подложки. Изобретение позволяет повысить воспроизводимость характеристик изготавливаемых светоизлучающих элементов. 3 з.п. ф-лы, 2 табл.

Изобретение относится к светотехнике, а именно к светоизлучающим полупроводниковым приборам. Светоизлучающий диод включает полупроводниковый светоизлучающий элемент с нанесенным поверх него покрытием из оптически прозрачного компаунда, содержащего частицы люминофора, распределенные в компаунде. Согласно изобретению распределение частиц люминофора в компаунде характеризуется их послойным гексагональным расположением, при этом расстояние между краевыми участками соседних частиц люминофора не превышает 1,5 среднего диаметра совокупности частиц используемого люминофора. Изобретение обеспечивает повышение постоянства светового потока и цветности излучения светоизлучающего диода. 2 ил.

Изобретение относится к оптоэлектронике. Светодиод белого свечения содержит слой полупроводника n-типа, одну или более структур с квантовыми ямами, сформированных поверх слоя полупроводника n-типа, слой полупроводника p-типа, сформированный на структуре с квартовыми ямами, первый электрод, сформированный на полупроводнике p-типа, и второй электрод, сформированный на по меньшей мере части слоя полупроводника n-типа. Каждая структура с квантовыми ямами включает в себя слой квантовой ямы In _xGa_1-xN, слой барьера In_yGa_1-y N (x>0,3 или х=0,3) и квантовые точки In_zGa _1-zN, где x<y<z .1. В изобретении предложены два варианта светодиодов и два варианта структур с квантовыми ямами Изобретение позволяет создать светодиоды белого свечения, которые просты в изготовлении, имеют высокие характеристики светоотдачи и цветопередачи, а также обладают требуемой надежностью для обеспечения таких применений, как источники света для освещения и жидкокристаллические устройства отображения (дисплеи). 4 н. и 18 з.п. ф-лы, 5 ил.