Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного, специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы таких приборов: ....содержащие азот – H01L 33/32

Изобретение относится к полупроводниковым нитридным наногетероструктурам и может быть использовано для изготовления светодиодов ультрафиолетового диапазона с длинами волн в диапазоне 260-380 нм. Ультрафиолетовый светодиод на нитридных гетероструктурах включает металлические электроды p-типа, нитридный слой p-типа, III-нитридную активную область, III-нитридный слой n-типа, сапфировую подложку с текстурированной полуполярной или неполярной поверхностью III-нитридного слоя. При этом текстурированная поверхность полуполярной или неполярной плоскости III-нитридного слоя выполнена в виде щетки нанотрубок, размеры которых и расстояние между которыми сравнимы с длиной волны излучения. Изобретение позволяет увеличить внешний квантовый выход устройства за счет создания текстурированной поверхности с увеличенным выводом излучения такого типа, чтобы она позволяла выводить большой световой поток, не внося при этом нежелательную поляризацию, значительно уменьшить внутреннее отражение, улучшить эффективность рекомбинации носителей. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов. Структура включает III-нитридную полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающую область, расположенную между областью n-типа и областью p-типа, при этом по меньшей мере одним слоем в светоизлучающей области является светоизлучающий слой B_x(In_yGa_1-y)_1-x N, 0,06 x 0,08 и 0,1 y 0,14, который обладает запрещенной энергетической зоной и объемной постоянной решетки, соответствующей постоянной решетки релаксированного слоя с таким же составом, что и светоизлучающий слой B_x(In_yGa_1-y)_1-x N, слой InGaN, обладающий такой же запрещенной энергетической зоной, что и слой B_x(In_yGa_1-y )_1-xN, обладает объемной постоянной решетки, соответствующей постоянной решетки релаксированного слоя с таким же составом, что и слой InGaN, и объемная постоянная решетки слоя B_x (In_yGa_1-y)_1-xN меньше, чем объемная постоянная решетки слоя InGaN. Изобретение обеспечивает III-нитридную полупроводниковую структуру, где по меньшей мере один слой в светоизлучающей области включает бор. 4 н. и 12 з.п. ф-лы, 8 ил.

Светоизлучающий прибор содержит полупроводниковую структуру на основе нитрида элемента III группы, содержащую светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа; и текстурированную поверхность, расположенную внутри 1000 Å светоизлучающего слоя. Также предложен второй вариант, согласно которому светоизлучающий прибор содержит маскирующий слой с множеством отверстий; структуру на основе нитрида элемента III группы, которая содержит множество столбиков из полупроводникового материала, соответствующих отверстиям в маскирующем слое, причем это множество столбиков разделено изоляционным материалом, и при этом, по меньшей мере, 90% поперечного сечения множества столбиков в плоскости, параллельной поверхности маскирующего слоя, занято столбиками, и светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа. Изобретение позволяет снизить механические напряжения в светоизлучающем слое. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 11 ил.

Полупроводниковый светоизлучающий элемент содержит подложку, а также выполненные из Al_xGa_1-x N n-контактный слой, активный слой, барьерный слой и р-контактный слой. Подложка выполнена из AlN, а р-контактный слой - из GaN. Между подложкой и n-контактным слоем расположена переходная структура, состоящая из одинаковых пар слоев, выполненных из беспримесного соединения Al_xGa_1-xN. Количество пар слоев 3÷6. Толщина слоев в слоях со стороны подложки - 300÷500 нм, а в слоях со стороны n-контактного слоя - 70÷140 нм. Содержания Al в слоях со стороны подложки - 30÷70%, а в слоях со стороны n-контактного слоя - 10÷60%. Изобретение направлено на увеличение выходной мощности полупроводникового светоизлучающего элемента в широком диапазоне длин волн излучения и увеличение его срока службы. 4 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике и освещению и может быть использовано при изготовлении осветительных и информационных устройств. Фотолюминофор имеет формулу

( Ln)₃Al_5-x-yLi_yMg_x/2 Si_x/2F_q/3O_12-qN_2y+q/2 , где 0,001 x 0,05; 0,0001<y<0,05; 0,001 q 0,02; имеет кубическую структуру алюмоиттриевого граната с параметром кристаллической решетки а меньше или равным 11,99 Å. Зерна фотолюминофора имеют овальную форму и имеют несквозные поры радиусом 6,6847 Å. Сумма координат цветности x и y больше или равна 0,89, чистота цвета больше или равна 0,85. Светоизлучающие диоды, состоящие из нитридо-галлиевого гетероперехода InGaN, снабженного люминесцентным конвертером на основе кремнийорганического полимера, в объеме которого находится указанный фотолюминофор, имеют силу света порядка 300 кД для угла раскрытия 2 больше или равного 16°, световой выход 85-95 люмен/Вт для режима возбуждения 3,5 В и 120 мА. Цвет свечения близок к тепло-белому стандарту 2800 К T 4000 К, что позволяет его использовать для освещения помещений. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 7 ил., 1 табл., 1 пр.

Полупроводниковый элемент содержит многослойную структуру, выполненную из нитридов твердых растворов металлов третьей группы. Многослойная структура включает темплейт, на котором последовательно расположены: активный слой и контактные слои с различным типом проводимости. Для предотвращения утечки электронов из активного слоя в р-контактный слой, р-контактный слой выполнен с полярностью, противоположной полярности активного слоя. За счет такого распределения полярностей значительно увеличивается внутренняя квантовая эффективность и, как следствие, повышается эффективность преобразования электрической энергии в излучение. Изобретение направлено на повышение эффективности преобразования электрической энергии в излучение путем снижения утечки носителей заряда из активной области и может быть использовано в серийном производстве. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике. Полупроводниковое светоизлучающее устройство содержит область n-типа; область p-типа; III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа. III-Нитридный светоизлучающий слой легирован до концентрации легирующей примеси от 6×10 ¹⁸ см^-3 до 5×10¹⁹ см^-3 и имеет III-толщину от 50 ангстрем до 250 ангстрем, при этом III-нитридный светоизлучающий слой выполнен с возможностью излучения света, имеющего максимум на длине волны более 390 нм, а содержание InN в светоизлучающем слое является градиентным. Также предложено еще четыре варианта III-нитридного светоизлучающего устройства со светоизлучающей областью с двойной гетероструктурой. Изобретение обеспечивает высокую эффективность при высокой плотности тока. 5 н. и 41 з.п. ф-лы, 3 табл., 13 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике. Предложен полупроводниковый прибор, содержащий подложку; первый контакт; первый слой легированного полупроводникового материала, осажденный на подложку; полупроводниковую область перехода, осажденную на первый слой; второй слой легированного полупроводникового материала, осажденный на область перехода, причем этот второй слой обладает противоположным первому слою типом примесной проводимости; и второй контакт; при этом второй контакт находится в электрическом соединении со вторым слоем, а первый контакт встроен в полупроводниковый прибор между подложкой и областью перехода и находится в электрическом соединении с первым слоем. Также предложены еще два варианты такого полупроводникового прибора и два способа изготовления полупроводникового прибора со встроенными контактами. Преимущества, обеспечиваемые изобретением, включают значительно уменьшенное последовательное сопротивление между электрическими контактами такого прибора, в результате чего обеспечивается повышенная эффективность эксплуатации и сниженное нагревание прибора. Другие преимущества встроенных контактов в полупроводниковых приборах на нитриде металла включают то, что если часть скрытых контактов может поддерживаться свободной от осаждаемого материала, то может быть устранена необходимость в фотолитографии для производства такого прибора. Для предотвращения осаждения на поверхности контакта может быть использована маска. Может оказаться возможным производство таких приборов в широком ассортименте, в зависимости от других эксплуатационных ограничений, таких как ток, напряжение и рассеяние тепла. 5 н. и 35 з.п. ф-лы, 13 ил.