Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного, специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы таких приборов: ...содержащие только элементы IV группы периодической системы – H01L 33/34

Изобретение относится к электронике и энергосберегающим технологиям, а именно к конструкции светодиодов. Светодиодный источник света содержит пленочные полупроводниковые слои, нанесенные на токопроводяшую подложку, служащую одним из электродов, имеющие поликристаллическую структуру с p-n-переходами во многих зернах поликристаллической пленки и покрытые снаружи слоем прозрачного токопроводящего материала, служащего вторым электродом. Изобретение обеспечивает возможность создания источника света более долговечного, с большим интегральным световым потоком и более дешевого. 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике и освещению и может быть использовано при изготовлении осветительных и информационных устройств. Фотолюминофор имеет формулу

( Ln)₃Al_5-x-yLi_yMg_x/2 Si_x/2F_q/3O_12-qN_2y+q/2 , где 0,001 x 0,05; 0,0001<y<0,05; 0,001 q 0,02; имеет кубическую структуру алюмоиттриевого граната с параметром кристаллической решетки а меньше или равным 11,99 Å. Зерна фотолюминофора имеют овальную форму и имеют несквозные поры радиусом 6,6847 Å. Сумма координат цветности x и y больше или равна 0,89, чистота цвета больше или равна 0,85. Светоизлучающие диоды, состоящие из нитридо-галлиевого гетероперехода InGaN, снабженного люминесцентным конвертером на основе кремнийорганического полимера, в объеме которого находится указанный фотолюминофор, имеют силу света порядка 300 кД для угла раскрытия 2 больше или равного 16°, световой выход 85-95 люмен/Вт для режима возбуждения 3,5 В и 120 мА. Цвет свечения близок к тепло-белому стандарту 2800 К T 4000 К, что позволяет его использовать для освещения помещений. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 7 ил., 1 табл., 1 пр.

Изобретение относится к микроэлектронике и к светоизлучающим устройствам, чипам матриц светоизлучающих диодов (СИДов), печатающим головкам на СИДах и принтеру на СИДах. Способ изготовления полупроводникового изделия, имеющего сложную полупроводниковую многослойную пленку, сформированную на полупроводниковой подложке, согласно изобретению включает: подготовку элемента, включающего в себя удаляемый травлением слой (1010), сложную полупроводниковую многослойную пленку (1020), изолирующую пленку (2010) и полупроводниковую подложку (2000) на сложной полупроводниковой подложке (1000) и имеющего первую бороздку (2005), которая проходит сквозь полупроводниковую подложку и изолирующую пленку, и бороздку (1025) в полупроводниковой подложке, которая является второй бороздкой, предусмотренной в сложной полупроводниковой многослойной пленке таким образом, что соединена с первой бороздкой, и вводят травитель в контакт с удаляемым травлением слоем по первой бороздке и второй бороздке и таким образом травят удаляемый травлением слой для отделения сложной полупроводниковой подложки от упомянутого элемента. Изобретение обеспечивает повышение выхода годных и упрощение технологии изготовления. 14 н. и 14 з.п. ф-лы, 33 ил.