Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного, специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы таких приборов: ...отражающие элементы – H01L 33/60

Светоизлучающее устройство (100) согласно изобретению содержит по меньшей мере один излучатель (101) света, расположенный на подложке (102), и отражающий оптический корпус (103, 108), по меньшей мере частично окружающий по сторонам упомянутый по меньшей мере один излучатель (101) света, причем пространство (106) между упомянутым отражающим оптическим корпусом (103, 108) и упомянутым по меньшей мере одним излучателем (101) света наполнено по меньшей мере частично суспензией отражающего материала (104). Светоизлучающее устройство дополнительно содержит по меньшей мере один канал (105), подходящий для применения упомянутого отражающего материала (104). Также предложен способ изготовления описанного выше светоизлучающего устройства. Изобретение обеспечивает возможностью улучшенной светоотдачи, упрощение технологии изготовления светоизлучающего устройства, обеспечение меньшего потребления материала для изготовления светоизлучающего устройства. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 10 ил.

Согласно изобретению предложен способ изготовления светоизлучающего устройства (СИД). Данный способ содержит этапы: обеспечения подложки, на которой установлен, по меньшей мере, один светоизлучающий диод и; установки коллиматора, по меньшей мере, частично окружающего сбоку упомянутый, по меньшей мере, один светоизлучающий диод, и сформированный с помощью, по меньшей мере, одного самонесущего элемента стены из материала толщиной в диапазоне от 100 до 500 мкм. Упомянутый коллиматора присоединяют к упомянутому, по меньшей мере, одному светоизлучающему диоду и упомянутой подложке, используя пропускающий связующий материал. Также предложено устройство, изготовленное согласно описанному способу. Изобретение обеспечивает упрощение изготовления СИД. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение может найти применение в различных устройствах и системах, в которых требуются мощные источники оптического излучения. В полупроводниковом источнике излучения согласно изобретению, содержащем цилиндрический корпус, соосно расположенный внутри корпуса рефлектор, расположенную внутри рефлектора диэлектрическую пластину, на которой размещена матрица излучающих диодов, оптически прозрачную крышку, герметично соединенную с корпусом, и охлаждающую жидкость, заполняющую свободное пространство корпуса и обтекающую внутреннюю поверхность корпуса, поверхность рефлектора и внешнюю поверхность матрицы излучающих диодов, в днище корпуса, диэлектрической пластине и полупроводниковой излучающей матрице выполнены каналы жидкостной распределительной системы, состоящей из образованных в днище корпуса кольцевого канала, хордовых каналов, соединенных с кольцевым каналом, и сквозных отверстий в хордовых каналах, днище корпуса, диэлектрической пластине и полупроводниковой излучающей матрице, проходящих в плоскостях, расположенных между столбцами и с внешних сторон столбцов излучающих диодов матрицы. Изобретение обеспечивает увеличение оптической мощности полупроводникового источника излучения и устранение нестандартных источников его питания. 2 ил.

Изобретение относится к белому светоизлучающему диоду, а именно к белой СИД лампе, использующей белый СИД с высоким коэффициентом цветопередачи. Сущность изобретения заключается в том, что белый СИД с высоким коэффициентом цветопередачи включает в себя теплопроводящее основание, рамку с выводами, отражатель, закрепленный на верхней поверхности упомянутого теплопроводящего основания, СИД чипы, закрепленные на упомянутом теплопроводящем основании и в упомянутом отражателе, и прозрачный силикон, закрывающий верхние поверхности упомянутых СИД чипов, в котором упомянутый отражатель представляет собой коническую чашу, имеющую открытое дно и выступы для смешения света на внутренней поверхности стенки отражателя и в котором упомянутая рамка с выводами имеет размер, который соответствует дну упомянутого отражателя, и закреплена с внешней стороны упомянутого отражателя и на верхней поверхности упомянутого теплопроводящего основания, и в котором упомянутые СИД чипы содержат по меньшей мере шесть типов СИД чипов, которые испускают свет с различными пиками длин волн, при этом каждый тип СИД чипов включает в себя по меньшей мере один чип, а упомянутые СИД чипы сконфигурированы и скомбинированы электрически на упомянутом теплопроводящем основании таким образом, что интервал между пиками длин волн двух смежных СИД чипов составляет 20 нм ~35 нм, упомянутые СИД чипы дополнительно содержат электроды, соединенные электрически с выводами упомянутой рамки с выводами. Технический результат - повышение коэффициента цветопередачи и световой эффективности. 3 н. и 7 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к светодиодам зеленого свечения, предназначенным для сигнальной индикации и освещения. Описываемый светодиод содержит кристалл (кристаллы), конический отражатель и люминофор, причем кристалл излучает в фиолетовой области спектра, люминофор выполнен на основе ортосиликата бария-стронция, отражатель выполнен с оптимальным углом наклона стенок и высотой, слой полимера с люминофором нанесен как на отражатель, так и на световыводящую поверхность светодиода. На основе предполагаемого изобретения разработан высокоэффективный светодиод зеленого свечения с световой отдачей до 80 лм/Вт, что значительно выше, чем можно получить на "традиционном" светодиоде зеленого свечения. 5 з.п. ф-лы, 1 ил.