Логические схемы, т.е. устройства, имеющие не менее двух входов, работающих на один выход: ..с использованием гальваномагнитных приборов, например приборов, основанных на эффекте Холла – H03K 19/18
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H03 Электронные схемы общего назначения
H03K Импульсная техника
H03K 19/00 Логические схемы, т.е. устройства, имеющие не менее двух входов, работающих на один выход
H03K 19/18 ..с использованием гальваномагнитных приборов, например приборов, основанных на эффекте Холла
Патенты в данной категории
| ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ И-ИЛИ-НЕ Изобретение относится к вычислительной технике и интегральной электронике, а более конкретно - к интегральным логическим элементам СБИС и, в частности, к логическому элементу И-ИЛИ-НЕ на комплиментарных нормально закрытых полевых транзисторах с управляющими переходами Шоттки. Для сокращения занимаемой площади, повышения быстродействия, уменьшения потребляемой мощности и энергии переключения в интегральный логический элемент, содержащий области стоков, истоков и каналов четырех транзисторов второго типа проводимости, металлические затворы Шоттки транзисторов второго типа проводимости, четыре входные металлические шины, соединенные с затворами Шоттки транзисторов второго типа проводимости, выходную металлическую шину, соединенную со стоковыми областями первого и третьего транзисторов второго типа проводимости, слоя разделительного диэлектрика, металлическую шину нулевого потенциала, металлическую шину питания, введены полупроводниковая подложка второго типа проводимости, являющаяся совмещенной истоковой областью второго и четвертого транзисторов второго типа проводимости и соединенная по всей свободной поверхности с металлической шиной нулевого потенциала, области стоков, истоков и каналов четырех транзисторов первого типа проводимости, металлические затворы Шоттки транзисторов первого типа проводимости, соединенные с входными металлическими шинами, металлическая шина, соединенная с областями первого типа проводимости, являющимися истоками шестого и восьмого и стоками пятого и седьмого транзисторов первого типа проводимости, полупроводниковая подложка первого типа проводимости, являющаяся совмещенной истоковой областью пятого и седьмого транзисторов первого типа проводимости и соединенная по всей свободной поверхности с металлической шиной питания, причем транзисторы выполнены в виде двух призм с квадратными основаниями, каждое из которых имеет площадь, равную площади одного контактного окна, при этом каждая призма содержит по два транзистора второго типа проводимости и по два транзистора первого типа проводимости, расположенных друг над другом и имеющих вертикальную ориентацию каналов, металлические затворы Шоттки имеют кольцеобразную форму, длины каналов транзисторов определяются толщиной металлических затворов, металлические шины расположены в девяти слоях, изолированных слоями разделительного диэлектрика, причем входные металлические шины расположены в тех же слоях, что и полупроводниковые области транзисторов. 4 ил. | 2166837 патент выдан: опубликован: 10.05.2001 |
|
| ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ Использование: изобретение относится к вычислительной технике и интегральной электронике, преимущественно к интегральным логическим элементам БИС. Сущность изобретения: в интегральный логический элемент введены металлические шины питания и нулевого потенциала, входная и выходная зоны, содержащие поликремниевые шины, управляющие зоны с прямым и инверсным управлением, транзистные зоны и две металлические шины, проходящие через все зоны. Взаимно перпендикулярное расположение поликремниевых и металлических шин позволили создать одинаковые по размерам и полностью топологически и электрически совместимые между собой по границам раздела структурно-топологические входные, выходные, управляющие и транзитную зоны. В результате возможна произвольная перестановка зон в зависимости от предъявляемых требований. 1 ил., 1 табл. | 2073312 патент выдан: опубликован: 10.02.1997 |
|