Получение плазмы, управление плазмой: ..с использованием только внешнего магнитного поля – H05H 1/10

Изобретение относится к плазменной технике, в частности к конструкции магнитного блока распылительной системы, и может быть использовано в планарных магнетронах для вакуумного ионно-плазменного нанесения тонких пленок металлов и их соединений на поверхность твердых тел. Магнитный блок включает в себя центральный цилиндрический и внешний кольцевой магниты, коаксиально установленные с зазором на магнитопроводе из магнитомягкого материала. Магнитопровод выполнен с кольцевым выступом, равным по высоте магнитам, при этом выступ выполнен с возможностью фиксации центрального магнита. Поверхность выступа, обращенная к центральному магниту, может быть выполнена конической. Технический результат использования изобретения заключается в повышении равномерности напряженности магнитного поля и уменьшении габаритов блока. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к устройствам технологического оборудования и может быть использовано в технологии производства электронных компонент. Плазменный реактор с магнитной системой отличается тем, что электроды емкостного возбуждения выполнены в виде двух полых цилиндров, расположенных внутри камеры коаксиально, антенна индукционного возбуждения размещена радиально симметрично по отношению к полым цилиндрам и подложке, магнитная система выполнена из соленоидальних элементов, расположенных соосно к подложке, а верхняя плоскость подложки находится между двумя нижними соленоидальными элементами магнитной системы. Технический результат - повышение скорости и равномерности обработки подложек из различных материалов, при обработке полупроводниковых подложек минимизированы дефекты на поверхности и в объеме полупроводниковых структур. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.