Способы и устройства для изготовления печатных схем: ...катодным распылением – H05K 3/16

Изобретение относится к области производства печатных схем, а именно к длинномерным, гибким печатным кабелям, применяемым во внутриблочных и межблочных электросоединениях.

Способ изготовления печатных кабелей с параллельными, прямолинейными печатными проводниками на изоляционной подложке включает операции формообразования печатных проводников в рулонной длинномерной заготовке шириной больше ширины печатных кабелей на величину технологических печатных проводников. Затем на заготовку со стороны печатных проводников наносят изоляцию. Далее технологические печатные проводники удаляют совместно с нанесенной на них изоляцией, а формирование продольных кромок печатных кабелей производят разрезая рулонную заготовку по месту удаленных технологических печатных проводников. Технический результат - повышение технологичности и производительности обработки, а также надежности при одновременном повышении электрической прочности изоляции и высоких эксплуатационных характеристиках кабеля в целом, снижение трудоемкости изготовления печатных кабелей из рулонной заготовки и получение в одной рулонной длинномерной заготовке одновременно несколько печатных кабелей с высокими эксплуатационными характеристиками. 4 ил.

Изобретение относится к вакуумной и твердотельной электронике. Технический результат – создание способа изготовления вакуумной интегральной микросхемы, позволяющего упростить технологию изготовления путем исключения операций травления и фотолитографии, повышение качества изготовляемой продукции. Достигается тем, что используют подложку из полупроводникового материала с множеством микроострий, расположенных согласно топологии вакуумной интегральной микросхемы. Последовательно направляют на подложку потоки плазмы проводящего материала и диэлектрика. Для формирования потока плазмы проводящего материала возбуждают между катодом и анодом генератора плазмы последовательность импульсных вакуумных дуг длительностью и паузой Т. Для формирования потока плазмы диэлектрика в поток плазмы проводящего материала инжектируют реактивный газ. Удаляют из потоков плазмы проводящего материала и диэлектрика атомы и ионы с энергией более eU2 при транспортировании. Формируют над торцем каждого из множества микроострий потенциальный барьер eU2<eU1 для ионов плазмы диэлектрика и ионов плазмы проводящего материала, имеющих энергию меньше eU2, в виде множества замкнутых эквипотенциальных поверхностей с величиной потенциала U2. Конденсируют плазму диэлектрика и плазму проводящего материала с внешней стороны эквипотенциальных поверхностей и формируют множество замкнутых полостей, определяемых формой замкнутой эквипотенциальной поверхности, служащих колбами электронных ламп. 2 н. и 19 з.п. ф-лы, 14 ил.