Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ......с изолированным затвором – H01L 21/336

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с пониженной плотностью дефектов. В способе изготовления тонкопленочного транзистора в качестве подложки используют сильнолегированные монокристаллические пластины кремния n⁺-типа проводимости, в качестве изолятора затвора используют слой слой диоксида кремния толщиной 110 нм, выращенный термическим окислением в сухом кислороде при 1000°C, после чего формируют пленку аморфного кремния толщиной 430 нм в ВЧ тлеющем разряде в силане при температуре подложки 250°C и имплантируют ионы фтора с энергией 25 кэВ и дозой 10¹⁴ -5·10¹⁵ см^-2. После имплантации образцы отжигают в атмосфере азота при температуре 200-220°С в течение 60 минут, наносят пассивирующий слой оксида кремния толщиной 150 нм в плазме газовой смеси SiH₄ и N₂ O, а для создания тонкого n⁺ аморфного кремниевого слоя проводят имплантацию ионов фосфора энергией 30 кэВ и дозой 10¹⁶ см^-2. Техническим результатом изобретения является снижение плотности дефектов, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженным сопротивлением затвора. В способе изготовления полупроводникового прибора электрод затвора формируют путем последовательного нанесения поверх слоя затворного окисла многослойной структуры, состоящей из слоя поликремния, слоя нитрида кремния, сквозь который могут туннелировать электроны, слоя молибдена и второго слоя нитрида кремния. Технический результат: снижение сопротивления электрода затвора, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. 1 табл.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов. В способе изготовления тонкопленочного транзистора на подложку из монокристаллического кремния с термически выращенным слоем окиси кремния последовательно плазмохимическим осаждением из газовой фазы при температуре подложки 300^о С осаждают слой нелегированного -Si n^--типа толщиной 300 нм и слой легированного фосфором микрокристаллического кремния n⁺-типа толщиной 20 нм, между стоком и истоком формируют термически слой оксида кремния толщиной 200 нм, углубленный в слой аморфного кремния, затем наносят 500 нм слой SiO₂ методом химического осаждения из газовой фазы при 250°C, затем образцы отжигают в атмосфере водорода при 350°C в течение 30 минут. Техническим результатом изобретения является снижение токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. 1 табл.

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на создание базового процесса изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS структур и транзисторов на более доступном и менее дорогостоящем технологическом оборудовании, способных работать в диапазоне частот до 3,0-3,6 ГГц при повышенных напряжениях питания по стоку. В способе изготовления транзисторной СВЧ LDMOS структуры нанесенный на подзатворный диэлектрик поликремний покрывают тугоплавким металлом, формируют полицид тугоплавкого металла, наносят на лицевую сторону подложки защитный слой фоторезиста, вскрывают окна в защитном слое фоторезиста, полициде тугоплавкого металла, поликремнии и подзатворном диэлектрике над истоковыми p⁺-перемычками и прилегающими к ним участками высокоомного p^--слоя подложки и формируют таким образом вначале только истоковые боковые грани полицидных электродов затвора транзисторных ячеек, затем через вскрытые окна внедряют в подложку ионы бора, удаляют фоторезист с лицевой поверхности подложки и последующей диффузионной разгонкой внедренной в подложку примеси создают р-карманы элементарных ячеек, удаляют полицид тугоплавкого металла и поликремний с лицевой поверхности подложки в промежутке между р-карманами транзисторных ячеек и формируют стоковые боковые грани полицидных затворных зубцов и полицидные электроды затвора элементарных ячеек в целом, потом в высокоомном эпитаксиальном р^--слое подложки у истоковых и в промежутке между стоковыми боковыми гранями полицидных электродов затвора создают высоколегированные истоковые n⁺-области и соответственно высоколегированные и многоступенчатые слаболегированные n-области стока элементарных ячеек, после этого в межслойном диэлектрике формируют металлические экранирующие электроды транзисторных ячеек, а полицидные затворные зубцы ячеек точечно шунтируют общими металлическими шинами затвора, сформированными на верхней поверхности многоуровневого межслойного диэлектрика над истоковыми p ⁺-перемычками элементарных ячеек. 5 ил.

Изобретение относится к области силовой электроники. Для изготовления силового полупроводникового прибора на первой основной стороне подложки (1) первого типа проводимости формируют первый оксидный слой (22). Затем на первой основной стороне сверху первого оксидного слоя (22) формируют структурированный слой (3, 3') электрода затвора, содержащий, по меньшей мере, одно отверстие (31). Первую легирующую примесь первого типа проводимости имплантируют в подложку (1) с первой основной стороны, используя в качестве маски структурированный слой (3, 3') электрода затвора, и обеспечивают диффундирование первой легирующей примеси в подложку (1). Затем вторую легирующую примесь второго типа проводимости имплантируют в подложку (1) с первой основной стороны и обеспечивают диффундирование второй легирующей примеси в подложку (1). После диффузии первой легирующей примеси в подложку (1), но до диффузии второй легирующей примеси в подложку (1), первый оксидный слой (22) частично удаляют и используют структурированный слой (3, 3') электрода затвора в качестве маски для имплантации второй легирующей примеси. Изобретение обеспечивает создание способа изготовления силового полупроводникового прибора с низкими потерями энергии во включенном состоянии и большой областью устойчивой работы, причем более легкого для реализации по сравнению с известными способами. 12 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым устройствам. Полупроводниковое устройство содержит тонкопленочный транзистор, содержащий шину затвора, первую изолирующую пленку, оксидно-полупроводниковый слой в форме островка, вторую изолирующую пленку, шину истока, электрод стока и пассивирующую пленку, а также контактную площадку, содержащую первый соединительный элемент, изготовленный из той же проводящей пленки, что и шина затвора, второй соединительный элемент, изготовленный из той же проводящей пленки, что и шина истока и электрод стока, и третий соединительный элемент, сформированный на втором соединительном элементе. Второй соединительный элемент соприкасается с первым соединительным элементом в первом окне, предусматриваемом в первой и второй изолирующих пленках, третий соединительный элемент соприкасается со вторым соединительным элементом во втором окне, предусматриваемом в пассивирующей пленке, а второй соединительный элемент покрывает торцевые поверхности первой изолирующей пленки и второй изолирующей пленки в первом окне, но не покрывает торцевую поверхность пассивирующей пленки во втором окне. В результате этого конусная форма контактного отверстия контактной площадки может контролироваться с высокой точностью. Изобретение обеспечивает уменьшение повреждения маски. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 14 ил.

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и обеспечивает создание способа изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов с уменьшенным шагом транзисторной ячейки, улучшенными частотными и энергетическими параметрами и повышенным процентом выхода годных структур. В способе изготовления СВЧ LDMOS транзисторов, включающем создание сквозных диффузионных истоковых p⁺-перемычек элементарных транзисторных ячеек в высокоомном эпитаксиальном p^--слое исходной кремниевой p^-p⁺-подложки, выращивание подзатворного диэлектрика и формирование поликремниевых электродов затвора элементарных ячеек на поверхности высокоомного p^--слоя подложки, создание p-карманов элементарных ячеек в высокоомном p^--слое подложки посредством внедрения ионов бора в подложку с использованием в качестве защитной маски поликремниевых электродов затвора и слоев фоторезиста и последующего диффузионного перераспределения внедренной примеси, после создания p-карманов подзатворный диэлектрик между поликремниевыми электродами затвора элементарных ячеек утоняют до толщины 100 300 Å, на лицевую сторону подложки наносят первый защитный слой фоторезиста, вскрывают одновременно два окна в первом защитном слое фоторезиста соответственно в месте дислокации высоколегированных n⁺-областей стока и истока элементарных ячеек и внедряют через них в подложку ионы фосфора с дозой 0,2 0,6 мкКл/см² и энергией 80 140 кэВ и ионы мышьяка с дозой 400 500 мкКл/см² и энергией 40 80 КэВ, затем вскрывают второе стоковое окно и через второе стоковое окно имплаптируют в подложку ионы фосфора с той же дозой и энергией, что и в первое стоковое окно, далее вскрывают третье стоковое окно и через третье стоковое окно внедряют в подложку ионы фосфора с меньшей дозой и энергией, чем во второе стоковое окно, затем аналогичным образом формируют последующие ступени слаболегированных n^--областей стока элементарных ячеек, причем в каждую следующую ступень ионы фосфора имплантируют с меньшей дозой и энергией по сравнению с предыдущей, после этого удаляют остатки защитного слоя фоторезиста с лицевой стороны подложки и проводят одновременную диффузионную разгонку внедренных в подложку примесей фосфора и мышьяка. 7 ил., 1 табл.

Использование: в электронной технике, при производстве интегральных схем различного назначения. Технический результат изобретения - технологический процесс, позволяющий создавать МДП-нанотранзисторы без использования литографии высокого разрешения с максимальным подавлением короткоканальных эффектов. Сущность изобретения: в способе изготовления МДП-нанотранзистора с локальным участком захороненного слоя изолятора на поверхности подложки из кремния первого типа проводимости формируют изолирующий слой вокруг активных областей транзистора, формируют канавку, на основе которой создают ступенчатый рельеф, создают первую пристеночную область и слой-маску, проводят имплантацию ионов, преимущественно кислорода, до образования в глубине подложки слоя с высокой концентрацией атомов кислорода и оксида кремния, формируют вторую пристеночную область, затем проводят имплантацию ионов второго типа, где используют компоненты, входящие в состав которых атомы имеют высшие оксиды, образующие совместно с диоксидом кремния стекло, а тонкий захороненный слой изолятора и активные области стока и истока формируют одновременно путем отжига при температуре больше температуры размягчения, но меньше температуры стеклования, для изоляции областей стока и истока друг от друга создают разделительную канавку, на поверхность наносят изолирующий слой, создают контактные области. 1 пр., 4 ил.

Изобретение относится к способам изготовления подложек со структурой тонкопленочных транзисторов для применения в панелях отображений. Сущность изобретения: способ изготовления подложки со структурой тонкопленочных транзисторов предусматривает этап, на котором формируют электрод затвора и первое соединение на подложке, этап, на котором формируют изолирующую пленку затвора, которая имеет контактное окно в положении, перекрывающем первое соединение, этап, на котором формируют электрод истока и электрод стока, которые перекрывают электрод затвора, и электроды отделены друг от друга, и формируют второе соединение, которое соединено с первым соединением через контактное окно в изолирующей пленке затвора, этап, на котором формируют межслойную изолирующую пленку созданием рисунка во второй изолирующей пленке после последовательного формирования оксидной полупроводниковой пленки и второй изолирующей пленки, и этап, на котором формируют пиксельный электрод путем снижения сопротивления оксидной полупроводниковой пленки, не защищенной межслойной изолирующей пленкой. Изобретение обеспечивает снижение стоимости получения подложки тонкопленочного транзистора, сформированного из оксидного полупроводника со структурой межсоединений на концевой части подложки. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике. Сущность изобретения: в мощном СВЧ LDMOS транзисторе, содержащем кремниевую подложку с высокоомным и высоколегированным слоями p-типа проводимости, элементарные транзисторные ячейки с истоковой p⁺-перемычкой, p-карманом, высоколегированной истоковой, высоколегированной и слаболегированной стоковой областями n-типа проводимости в высокоомном p^--слое подложки, подзатворный диэлектрик и электроды затвора транзисторных ячеек на основе поликремния в виде узких продольных зубцов прямоугольного сечения с рядом прилегающих к ним со стороны истока ответвленных контактных площадок над p-карманами элементарных ячеек, металлические электроды стока, истока и шины, шунтирующие затворные зубцы транзисторных ячеек через примыкающие к ним ответвленные контактные площадки на лицевой стороне подложки и общий металлический электрод истока транзисторной структуры на ее тыльной стороне, под подзатворным диэлектриком ответвленных контактных площадок электродов затвора транзисторных ячеек размещены более высоколегированные по сравнению с p-карманами дополнительные n⁺-области, а ответвленные контактные площадки выполнены в виде двух смежных прямоугольных площадок, одна из которых непосредственно примыкает к затворным зубцам с длиной сторон, составляющих 0,8 1,0 от ширины затворных зубцов элементарных ячеек, а через вторую контактную площадку с длиной сторон большего размера затворные зубцы шунтируют металлическими шинами. Техническим результатом изобретения является создание транзистора с улучшенными частотными и энергетическими параметрами, с повышенной рентабельностью промышленного производства. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к тонкопленочному транзистору, который содержит конденсатор, включенный между затвором и истоком, а также к сдвиговому регистру, к схеме управления шиной сигналов развертки, дисплейному устройству и способу подстройки тонкопленочного транзистора. Сущность изобретения: тонкопленочный транзистор содержит первый конденсатор, содержащий область, в которой первый электрод конденсатора, соединенный с электродом истока, и второй электрод конденсатора расположены друг на друге в направлении толщины с противоположных сторон первого слоя диэлектрика, сформированного между ними, второй конденсатор, содержащий область, в которой третий и четвертый электроды конденсатора расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон второго слоя диэлектрика, сформированного между ними, четыре выводные шины, проходящие от соответствующего электрода конденсатора в плоскостном направлении, первое соединение, пересекающее вторую и четвертую выводные шины, если смотреть в направлении толщины, и второе соединение, пересекающее первую и третью выводные шины, если смотреть в направлении толщины, причем второй электрод конденсатора и электрод затвора соединены друг с другом через вторую выводную шину, третий электрод конденсатора и электрод истока не соединены друг с другом, четвертый электрод конденсатора и электрод затвора не соединены друг с другом. Изобретение позволяет создать тонкопленочный транзистор, возникновение дефекта в котором может быть предотвращено даже в случае утечки в конденсаторе, соединенном с корпусом транзистора. 13 н. и 24 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым устройствам. Сущность изобретения: полупроводниковое устройство содержит тонкопленочный транзистор, который включает в себя полупроводниковый слой, который имеет область канала, область истока и область стока, электрод затвора, который выполнен с возможностью регулирования проводимости области канала, и изолирующую пленку затвора, расположенную между данным полупроводниковым слоем и электродом затвора, и тонкопленочный диод, который включает в себя полупроводниковый слой, который имеет, по меньшей мере, область n-типа и область p-типа, при этом соответствующие полупроводниковые слои тонкопленочного транзистора и тонкопленочного диода представляют собой кристаллические полупроводниковые слои, которые были сформированы путем кристаллизации одной аморфной полупроводниковой пленки, и при этом на поверхности полупроводникового слоя тонкопленочного диода образованы выступы, и полупроводниковый слой тонкопленочного диода имеет большую шероховатость поверхности, чем полупроводниковый слой тонкопленочного транзистора. Изобретение позволяет создать полупроводниковое устройство, которое включает в себя тонкопленочный транзистор и тонкопленочный диод на одной подложке, с улучшенными характеристиками. 6 н. и 27 з.п. ф-лы, 18 ил.

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение токов утечек, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение качества и увеличение процента выхода годных. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового прибора, включающем формирование подзатворного диэлектрика, электродов затвора, стока, истока и рабочих областей полупроводникового прибора, между слоем аморфного кремния и пленкой диэлектрического материала, используемой для изоляции затвора, создают пленку аморфного нитрида кремния толщиной 45-55 нм при температуре 230-370°C со скоростью роста 100 нм/мин. 1 табл.

Изобретения относятся к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединений A^IIIB^V , в частности к созданию транзистора на основе полупроводникового соединения, не содержащего драгоценных металлов и способу его изготовления. Техническим результатом является повышение термостабильности параметров затвора, снижение величины приведенного контактного сопротивления омических контактов истока и стока. Сущность изобретения: транзистор на основе полупроводникового соединения содержит полупроводниковую пластину, канальный и контактный слои, омические контакты истока и стока, выполненные на основе тонкопленочного соединения Ge и Cu, и затвор, в котором послойно на полупроводниковой пластине расположены тонкие пленки барьерообразующего металла, диффузионного барьера и проводника. В качестве материала проводника затвора используют тонкопленочное соединение Ge и Cu толщиной 10-1000 нм, с массовым содержанием Ge в диапазоне 20-45%. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 6 ил., 1 табл.

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на улучшение электрических параметров СВЧ мощных кремниевых генераторных LDMOS транзисторов, повышение их стойкости к воздействию ионизирующих излучений и повышение процента выхода годных изделий. Сущность изобретения: в способе изготовления СВЧ LDMOS транзисторов, включающем выращивание толстого полевого диэлектрика на поверхности высокоомного эпитаксиального р^--слоя исходной кремниевой р^-p⁺ -подложки на периферии транзисторных структур, формирование истоковых р⁺-перемычек и р-карманов транзисторных ячеек в эпитаксиальном p^--слое подложки, не покрытом полевым диэлектриком, выращивание подзатворного диэлектрика и формирование поликремниевых электродов затвора транзисторных ячеек в виде узких продольных зубцов прямоугольного сечения с рядом прилегающих к ним со стороны истока ответвленных контактных площадок над р-карманами, создание высоколегированных n⁺-областей стока, истока и слаболегированной n-области стока транзисторных ячеек посредством внедрения в подложку и последующего диффузионного перераспределения донорной примеси с использованием электродов затвора в качестве защитной маски, формирование металлических электродов стока, истока, экранов и шин, шунтирующих электроды затвора транзисторных ячеек через ответвленные контактные площадки на лицевой стороне подложки и общего металлического электрода истока транзисторной структуры на ее тыльной стороне, первую ступень слаболегированной многоступенчатой n-области стока транзисторных ячеек формируют после образования истоковых р⁺-перемычек посредством внедрения донорной примеси в эпитаксиальный р^--слой подложки без использования защитных масок, р-карманы, стоковые и истоковые области транзисторных ячеек создают с помощью дополнительной диэлектрической защитной маски, идентичной по конфигурации и местоположению продольным зубцам поликремниевого электрода затвора без примыкающих к ним ответвленных контактных площадок, одновременно с р-карманами формируют аналогичные им области на торцах слаболегированной n-области стока транзисторных ячеек, а электроды затвора с прилегающими к зубцам ответвленными контактными площадками формируют после удаления дополнительной диэлектрической защитной маски и последующего выращивания подзатворного диэлектрика, при этом ширину зубцов поликремниевого электрода затвора выбирают такой, чтобы она на величину погрешности совмещения превышала длину индуцированного канала транзисторных ячеек. 7 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области силовых полупроводниковых приборов, в частности к силовым БТИЗ и ДМОП-транзисторам. Изобретение обеспечивает снижение сопротивления в открытом состоянии без увеличения размеров кристалла и повышение быстродействия без ухудшения других характеристик. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового прибора, включающем формирование полупроводниковой подложки первого типа проводимости, затворного электрода, сформированного над подзатворным диэлектриком и отделенного межслойной и боковой изоляцией от металлического электрода истока (эмиттера), канальной области второго типа проводимости и истоковой области первого типа проводимости, сформированных последовательным ионным легированием примесей в окна заданной формы в затворном электроде, и металлического электрода истока, создают подзатворный диэлектрик, затворный электрод и межслойную изоляцию над затворным электродом в едином фотолитографическом процессе плазмохимическим слабовыраженным анизотропным травлением с отношением вертикальной к горизонтальной составляющей скоростей травления как (3÷5)/1. 10 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового прибора, включающем процессы ионной имплантации и формирование активных областей прибора на кремниевой подложке, после формирования активных областей создают скрытый р-слой под каналом прибора легированием подложки ионами Be с энергией 125-175 кэВ, дозой (2-5)·10¹² см^-2 и с последующим отжигом при температуре 650-750°С в течение 20-30 мин и атмосфере Н₂. Техническим результатом изобретения является снижение значений токов утечек в полупроводниковых приборах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. 1 табл.

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, включающем в себя оксидную пленку в качестве полупроводникового слоя, оксидная пленка включает канальную часть, истоковую часть и стоковую часть, и в котором концентрация одного из водорода или дейтерия в истоковой части и в стоковой части превышает таковую в канальной части. Изобретение позволяет установить связь между проводящим каналом транзистора и каждым из электродов истока и стока, тем самым сокращая изменение параметров транзистора. 5 н. и 4 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике. Сущность изобретения: в способе изготовления СВЧ мощных полевых LDMOS-транзисторов, включающем формирование первичного защитного покрытия на лицевой стороне исходной кремниевой подложки с верхним высокоомным и нижним высоколегированным слоями первого типа проводимости, вскрытие окон в первичном защитном покрытии, подлегирование вскрытых участков кремния примесью первого типа проводимости, выращивание толстого полевого диэлектрика на подлегированных участках кремния в окнах первичного защитного покрытия термическим окислением кремния, создание в высокоомном слое подложки в промежутках между толстым полевым диэлектриком элементарных транзисторных ячеек со сквозными диффузионными истоковыми перемычками, сформированными посредством внедрения в подложку через предварительно вскрытые в защитном покрытии окна легирующей примеси первого типа проводимости и ее последующего диффузионного перераспределения, формирование соединительных шин и контактных площадок стока и затвора транзисторной структуры на толстом полевом диэлектрике на лицевой стороне подложки и общего электрода истока транзисторной структуры на ее тыльной стороне, перед подлегированием кремния и выращиванием толстого полевого диэлектрика высокоомный слой подложки в окнах первичного защитного покрытия подтравливают на глубину, равную 0,48-0,56 толщины полевого диэлектрика, а перед внедрением легирующей примеси в формируемые истоковые перемычки транзисторных ячеек в высокоомном слое подложки в окнах защитного покрытия вытравливают канавку с наклонными боковыми стенками и плоским дном глубиной 1,5-2,6 мкм. Изобретение обеспечивает улучшение электрических параметров СВЧ мощных кремниевых LDMOS транзисторов и повышение процента выхода годных данных изделий. 5 ил., 2 табл.

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и направлено на повышение величины энергии лавинного пробоя, стойкости к воздействию ионизирующих излучений, расширение области безопасной работы и функциональных возможностей мощных кремниевых транзисторов. В способе изготовления мощных полевых транзисторов с изолированным затвором, включающем формирование защитного покрытия с верхним слоем нитрида кремния на лицевой стороне исходной кремниевой nn⁺ или pp⁺-подложки, вскрытие окон в защитном покрытии, создание в высокоомном слое подложки канальных областей транзисторных ячеек и внутриканальных областей высоколегированных шунтирующих прослоек и истоковых областей посредством ионной имплантации легирующих примесей в подложку через окна в защитном покрытии и последующего диффузионного перераспределения внедренных примесей, при формировании шунтирующих прослоек легирующую примесь имплантируют в подложку через окна в защитном покрытии без использования дополнительных маскирующих слоев, после диффузионного перераспределения внедренной примеси в шунтирующих прослойках по всему периметру окон в защитном покрытии производят селективное подтравливание боковых торцов защитного покрытия под нитридом кремния, затем удаляют слой нитрида кремния со всей лицевой поверхности подложки и имплантацией легирующей примеси в подложку через окна в защитном покрытии формируют истоковые области транзисторных ячеек. 5 ил., 1 табл.

Изобретение относится к технологии производства интегральных схем на подложках типа - кремний на изоляторе (КНИ) и может быть использовано для создания транзисторых структур с предельно минимальными размерами для УБИС. Сущность изобретения: в способе изготовления самосовмещенного двухзатворного планарного МОП-транзистора на КНИ-подложке, включающем создание на поверхности пластины рабочих и изолирующих областей двухзатворного транзистора, модификацию скрытого окисла, формирование туннеля в скрытом окисле, формирование поликремневого затвора и сток-истоковых областей, после формирования изолирующих и рабочих областей на поверхность подложки осаждают опорный маскирующий слой, в котором вскрывают окна к затворным областям, через них проводят ионное легирование фтором скрытого окисла, затем селективным травлением удаляют легированную часть окисла под кремнием для формирования туннеля в скрытом окисле, после чего проводят окисление поверхности кремния в открытых областях над туннелем и формирование затвора, при этом окно в опорном слое и туннель заполняется проводящим материалом, а после стравливания опорного слоя, используя затвор в качестве маски, формируют сток-истоковые области. Техническим результатом изобретения является создание транзисторной структуры с размерами длины канала до 10 нм. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении интегральных схем на базе структур "кремний на сапфире" (КНС). Сущность изобретения: в способе изготовления МДП-транзистора на структуре кремний на сапфире, включающем создание на подложке из сапфира островка слоя кремния собственной проводимости, формирование в нем канала транзистора путем легирования островка кремния примесью, соответствующей типу канала, с последующим созданием подзатворного диэлектрика и затвора, а затем изготовление областей истока и стока, перед легированием островка кремния примесью, соответствующей типу канала, маскируют часть островка кремния, а после легирования немаскированной его части и до создания подзатворного диэлектрика и затвора удаляют маску с части островка кремния собственного типа проводимости, кроме того, часть затвора создают над частью островка кремния собственного типа проводимости, при этом области истока изготавливают в части островка кремния собственного типа проводимости, а области стока изготавливают в части островка кремния, легированного примесью, соответствующей типу канала. Техническим результатом изобретения является реализация и обеспечение выходных характеристик короткоканального транзистора при относительно больших размерах затвора. 7 ил.

Использование: для изготовления полевых транзисторов со структурой металл - оксид - полупроводник. Сущность изобретения: устройство с коротким каналом для регулирования электрического тока содержит полупроводниковую подложку, в которой сформирован канал. Концентрация легирующих примесей канала значительно изменяется в вертикальном направлении и является, по существу, постоянной в продольном направлении. Электроды затвора, истока и стока выполнены на полупроводниковой подложке так, что длина канала меньше или равна 100 нм. По меньшей мере один из электродов истока и стока образует контакт в виде барьера Шотки. Предложен способ изготовления данного устройства. Техническим результатом изобретения является создание устройства с меньшей стоимостью, более высокими параметрами и лучшими допусками, чем позволяют современные технологии изготовления, сокращение паразитных биполярных воздействий, уменьшая тем самым вероятность “защелкивания”, обеспечение повышенной степени стойкости к радиации. 2 с. и 21 з.п. ф-лы, 11 ил.

Использование: в полупроводниковой силовой электронике. Техническим результатом изобретения является уменьшение сопротивления открытого транзистора, уменьшение входной емкости, увеличение пробивного напряжения стока планарного силового МОП транзистора, повышение воспроизводимости параметров прибора. Сущность изобретения: между истоковой диффузионной областью и подзатворной областью сформирована область с изолирующим окислом (локосом) и диффузионная область в подложке под изолирующим окислом (локосом) одного с истоком типа проводимости, создающая вместе с изолирующим окислом около стока структуру, фиксирующую длину канала под затвором между истоком и стоком и расстояние между сильнолегированными областями истока и стока вне зависимости от точности совмещения слоев фотомасок для формирования затвора, изолирующего окисла, истока и стока. 4 ил, 1 табл.

Использование: в области микро- и наноэлектроники при производстве как полупроводниковых приборов и интегральных схем, так и приборов функциональной микроэлектроники. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводникового прибора с управляющим электродом (затвором) нанометровой длины включает выделение на полупроводниковой подложке активной области прибора, формирование подзатворного диэлектрика, состоящего из первого и второго диэлектриков, нанесение вспомогательного слоя, содержащего третий диэлектрик и первый металл, формирование временных прямоугольных элементов с вертикальными боковыми стенками во вспомогательном слое, а также формирование управляющего электрода (затвора), областей стока/истока и проводящего контактного слоя к истоку-затвору-стоку. Управляющий электрод формируют путем последовательного осаждения на прямоугольные элементы с вертикальными стенками вспомогательного слоя и второй диэлектрик подложки четвертого диэлектрика, плазмохимического травления четвертого диэлектрика с образованием первой половины первого "спейсера" на вертикальной стенке прямоугольного элемента, осаждением и плазмохимическим травлением материала управляющего электрода, с образованием на первой половине первого "спейсера" затвора, осаждением и плазмохимическим травлением пятого диэлектрика с образованием на затворе второй половины первого "спейсера", при этом первый металл вспомогательного слоя и второй диэлектрик подзатворного диэлектрика используют в качестве защитной маски нижележащих слоев при плазмохимическом травлении, после этого сформированные слои "спейсер" - затвор -"спейсер" используют и в качестве маски для последующего легирования контактных областей стока/истока, обеспечивая при этом смещение области легирования от канала затвора. Далее формируют второй двухсторонний "спейсер" на боковых стенках затвора и используют его для проведения глубокого легирования, а также для формирования в местах контакта с кремнием проводящих областей силицида металла из осажденного слоя второго металла, после этого проводят удаление второго металла, оставшегося на двух "спейсерах" после силидизации, образуя тем самым самосовмещенные проводящие контактные области истока-затвора-стока. Техническим результатом изобретения является уменьшение длины управляющего электрода до нескольких десятков нанометров, а также обеспечение возможности изготовления элементов нанотранзистора-стока, затвора, истока, по самосовмещенной технологии с использованием любой литографии в изготовлении полупроводниковых приборов. 1 с. и 8 з.п. ф-лы, 11 ил.