способ получения ультрадисперсного порошка нитрида галлия

Классы МПК:C01G15/00 Соединения галлия, индия или таллия
C01B21/06 бинарные соединения азота с металлами, кремнием или бором 
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2006-06-26
публикация патента:

Изобретение относится к получению порошка нитрида галлия, который может быть использован в качестве компонента керамики при изготовлении полупроводниковых элементов конструкций. Способ получения ультрадисперсного порошка нитрида галлия включает сжигание смеси порошкообразного галлийсодержащего соединения с высокоэкзотермичным порошкообразным металлом в газовой среде. В качестве галлийсодержащего соединения используют жидкий металлический галлий или оксид галлия, в качестве высокоэкзотермичного металла используют алюминий, в качестве газовой среды для сжигания используют воздух. Полученный ультрадисперсный порошок нитрида галлия для полного удаления примесей подвергают химической обработке в растворах соляной или серной кислот с последующей промывкой дистиллированной водой. Изобретение позволяет упростить технологию синтеза порошка нитрида галлия и использовать воздух в качестве азотсодержащего реагента. 1 табл.

Формула изобретения

Способ получения ультрадисперсного порошка нитрида галлия путем сжигания смеси порошкообразного галлийсодержащего соединения с высокоэкзотермичным порошкообразным металлом в газовой среде, отличающийся тем, что в качестве галлийсодержащего соединения используют жидкий металлический галлий или оксид галлия, в качестве высокоэкзотермичного металла используют алюминий, в качестве газовой среды для сжигания используют воздух; полученный ультрадисперсный порошок нитрида галлия для полного удаления примесей подвергают химической обработке в растворах соляной или серной кислоты с последующей промывкой дистиллированной водой.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к технологии получения технической керамики, широкозонных полупроводниковых материалов, в частности нитрида галлия с шириной запрещенной зоны 3,4 эВ. Нитрид галлия может быть использован в качестве компонента керамики и металлокерамики для изготовления полупроводниковых, термостойких и теплопроводных элементов конструкций, а также в окислительных средах вместо нитрида алюминия и в сочетании с ним.

Известен способ получения кристалла галлийсодержащего нитрида, включающий азотирование порошка металла при высоком давлении азота (1000-10000 бар) в автоклавных реакторах путем частичного или полного растворения галлийсодержащего исходного материала и последующей кристаллизацией нитрида при повышенном давлении (см. заявку 2004100115 МПК 7 С30В 9/00, дата публикации 10.04.2005, бюл. №10).

Недостатком данного способа является использование высоких давлений азота, аммиака или их смесей; аппаратов высокого давления - автоклавов; применение щелочных металлов; сложность технологических стадий получения нитрида галлия - растворение галлийсодержащего реагента в смеси со щелочным металлом в азотсодержащем газе, растворенном в другом газе; последующая кристаллизация галлийсодержащего нитрида; необходимость его периодического извлечения из реактора, связанная с загрязнением окружающей среды токсичными продуктами. Кроме того, получение кристаллов галлийсодержащего нитрида требует значительных энергозатрат, связанных с поддержанием высоких температур и давлений при синтезе, высокой стоимости реагентов - предшественников синтеза: азидов галлия, имидов галлия, амидо-имидов галлия.

Наиболее близким является выбранный за прототип способ получения простых веществ: Si, В, Ga, As, их соединений: оксидов, карбидов, нитридов, силицидов, теллуридов, станнидов, плюмбидов, германидов, арсенидов, боридов, галлидов, висмутидов и композиционных керамических материалов из них (см. заявку РФ №95105967, дата публикации 1996.03.20). В прототипе ультрадисперсный порошок нитрида галлия может быть синтезирован с помощью термического разложения и восстановления в газовой фазе химических соединений или при непосредственном взаимодействии веществ при плазмохимическом синтезе. При этом из высокочистых кремнефтористых солей или оксидов галлия синтезируют его фторид и затем проводят магнийтермию, продукты которой обрабатывают фтористым водородом с последующим их азотированием азотом или аммиаком и доочисткой индукционной плазмой.

К недостаткам этого способа относится многостадийность, эндотермичность используемых реакций и необходимость использования особочистых реагентов (содержание основного вещества 99,999%).

Основной технической задачей данного изобретения является существенное упрощение технических приемов синтеза по сравнению с прототипом, использованием воздуха в качестве азотсодержащего реагента и тепла экзотермичной реакции горения («химической печки») для высокотемпературной реакции галлийсодержащего реагента и азота.

Поставленная техническая задача достигается тем, что галлийсодержащий реагент механически смешивается с высокоэкзотермичным металлом - алюминием - при массовом соотношении реагентов «металл/галлийсодержащий реагент», равном от 0,1 до 4, затем инициируется горение свободнонасыпанной смеси порошков. Смесь сгорает в самоподдерживающемся режиме в воздухе с образованием целевого продукта - ультрадисперсного порошка нитрида галлия. Затем проводится его выделение путем химической обработки в растворах серной или соляной кислот. Полученный ультрадисперсный порошок нитрида галлия промывается холодной дистиллированной водой. Содержание нитрида галлия определяется по данным рентгенофазового и химического анализа. Дисперсность порошка определяется методом лазерной дифракции.

Пример 1. Металлический галлий в жидком состоянии наносят на поверхность частиц карбоната магния марки ХЧ и смешивают с порошком алюминия марки ПАП-2 в соотношении Al:(Ga+MgO), равном от 0,1 до 4 мас. частей (таблица). Затем смесь поджигают в воздухе при атмосферном давлении. Продукты горения обрабатывают 0,1 н. раствором соляной кислоты, растворяющей побочные продукты - нитрид алюминия, металлический алюминий и оксид магния. Осадок - порошок нитрида галлия - промывают водой, сушат в воздухе при температуре 200°С в течение 1 часа и проводят анализ. Содержание связанного азота в полученном нитриде галлия составляет 14,2-15,8%, содержание нитрида галлия в пересчете на связанный азот - 85,0-93,5 мас.%. Площадь удельной поверхности порошка нитрида галлия составляет 18,2-20,4 м 2/г, среднеповерхностный диаметр частиц - 0,12-0,10 мкм.

Таблица

Содержание GaN в продуктах горения после обработки раствором 0,1 Н HCl в зависимости от соотношения Al:(Ga+MgO) в исходных смесях
Соотношение Al:(Ga+MgO), мас. части Режим горения Содержание GaN в продуктах горения после обработки раствором 0,1 н. HCl, мас.%
1. 0.05Не инициируется -
2.0.10 Самоподдерживающийся, устойчивый 85.0способ получения ультрадисперсного порошка нитрида галлия, патент № 2319667
3. 0.5088.5
4.1.0092.0
5.2.00 93.5
6.3.00 90.5
7. 4.0089.0
8.5.00Не инициируется -

Пример 2. Все, как в примере 1, но в исходной смеси в качестве галлийсодержащего реагента используют порошкообразный оксид галлия марки ХЧ, соотношение Al:Ga2О3 равно 1:5 мас. частей, обработку проводят 2 н. раствором серной кислоты. Продукт представляет собой серый порошок нитрида галлия с содержанием нитрида галлия в пересчете на связанный азот - 95,5 мас.%.

Предложенный способ получения ультрадисперсного порошка нитрида галлия характеризуется простотой технологического оформления, не требует энергетических затрат, так как протекает в самоподдерживающемся режиме и в качестве исходных реагентов применяются доступные и недорогие вещества, к которым не предъявляются требования особой чистоты.

Класс C01G15/00 Соединения галлия, индия или таллия

способ получения особо чистых сульфидов p-элементов iii группы периодической системы -  патент 2513930 (20.04.2014)
синтез наночастиц оксида галлия в сверхкритической воде -  патент 2487835 (20.07.2013)
магнитный полупроводниковый материал -  патент 2465378 (27.10.2012)
способ активирования алюминия и устройство для его реализации -  патент 2414424 (20.03.2011)
оксид цинка, содержащий галлий -  патент 2404124 (20.11.2010)
магнитный полупроводниковый материал -  патент 2400850 (27.09.2010)
способ одновременного получения металлического таллия и оксида таллия (iii) -  патент 2376245 (20.12.2009)
способ получения оксида галлия -  патент 2354611 (10.05.2009)
способ получения ультрадисперсного оксида галлия -  патент 2349548 (20.03.2009)
способ получения нитрида галлия -  патент 2341460 (20.12.2008)

Класс C01B21/06 бинарные соединения азота с металлами, кремнием или бором 

Наверх