Способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки микроструктурных устройств или систем – B81C
Патенты в данной категории
СПОСОБ СБОРКИ ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА МИКРОМЕХАНИЧЕСКОГО ДАТЧИКА
Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано при изготовлении чувствительных элементов, применяемых при изготовлении микромеханических акселерометров, микрогироскопов, интегральных датчиков давления. Задачей, на решение которой направлено изобретение, является упрощение и уменьшение технологического цикла сборки чувствительного элемента микромеханического датчика. В способе сборки чувствительного элемента микромеханического датчика совмещают стеклянную обкладку и кристалл из монокристаллического кремния, устанавливают и зажимают в специальном приспособлении, разогревают, выдерживают при заданной температуре и подают необходимое напряжение. При этом совмещают одновременно две стеклянные обкладки и кристалл из монокристаллического кремния, находящийся между ними, разогревают их до температуры 410°C, выдерживают 1,5 часа, подают напряжение на обе обкладки не меньше, чем на две минуты, отключают напряжение, меняют полярность напряжения, снова подают напряжение и повторяют цикл изменения полярности не менее трех раз. 1 ил. |
2525715 выдан: опубликован: 20.08.2014 |
|
СПОСОБ СБОРКИ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ
Использование: область микроэлектроники, а именно сборка микроэлектромеханических устройств и систем (МЭМС) на основе пьезоэлектрического кварца. Технический результат: повышение надежности функционирования в условиях высоких комплексных внешних воздействий. Сущность: способ включает выполнение на контактных площадках первичного преобразователя (ПП) кристаллического типа объемных токовыводов (ОВ) методом термозвуковой микросварки с последующей установкой ПП на плату вторичного преобразователя МЭМС. При этом предварительно осуществляют высокотемпературную сборку ПП, состоящего из чувствительного элемента ЧЭ и других функциональных элементов МЭМС, которую проводят при температуре не более 500°C, после чего к объемным токовыводам, выполненным на контактных площадках ПП, изготовленных из чередующихся металлических слоев Cr - Au толщиной не более 0,4 мкм, приваривают токовыводы в виде проволоки из золота методом контактной сварки. Затем полученный указанным образом ПП присоединяют сформированными токовыводами в виде проволоки методом контактной сварки к контактным площадкам вторичного преобразователя (ВП) МЭМС. 2 ил. |
2525684 выдан: опубликован: 20.08.2014 |
|
ЭЛЕКТРОННАЯ СХЕМА И/ИЛИ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКАЯ СИСТЕМА С РАДИАЦИОННЫМ ИСТОЧНИКОМ ПОДВИЖНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА
Изобретение относится к электронике и микроэлектромеханическим системам. Cхема электронная или микроэлектромеханическая с радиационным источником подвижных носителей заряда (изистор) содержит, по крайней мере, две области - первую и вторую. Первая область состоит из радиоизотопного материала, испускающего за счет радиоактивного излучения подвижные носители заряда, а вторая область состоит из нерадиоизотопного материала, принимающего внедряемые в нее указанные выше подвижные носители заряда. Эти две области располагают либо отдельно относительно друг друга на расстоянии, не большем, чем длина пробега вышеуказанных подвижных носителей заряда, испущенных первой областью радиоизотопного материала, либо первую область радиоизотопного материала, испускающего подвижные носители заряда, располагают на поверхности второй области нерадиоизотопного материала, либо первую область радиоизотопного материала, испускающего подвижные носители заряда, располагают в рассеянном виде или в виде объединенной структуры внутри второй области нерадиоизотопного материала. Изобретение обеспечивает возможность создания активного прибора изистора, обладающего постоянной готовностью к работе и не требующего времени для подключения прибора к источнику напряжения для обеспечения прохождения через него определенной величины уровня тока подвижных носителей заряда. 12 з.п. ф-лы, 1 табл., 6 ил., 1 пр. |
2511614 выдан: опубликован: 10.04.2014 |
|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ СТРУКТУР И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых микроэлектромеханических устройств, а именно малогабаритных датчиков физических величин. Изобретение обеспечивает увеличение количества годных микроэлектромеханических структур за счет совершенствования способа электростатической анодной посадки. В способе изготовления микроэлектромеханических структур путем анодного соединения (анодной сварки) двухслойной структуры из пластины кремния с предварительно очищенной стеклянной подложкой при нагревании их в вакууме и приложении напряжения, предварительно пластину из кремния разделяют на кристаллы, формируют пары структур кремний - стекло, размещают их в кассету вертикально, прижимая друг к другу, кассету помещают в графитовый нагреватель и нагревают их при температуре от 370°С до 400°С, после чего подают анодное напряжение на стекло в интервале от 200 до 500 вольт для формирования слоя объемного заряда в стекле, прилегающем к поверхности кремния. В устройстве для изготовления микроэлектромеханических структур графитовый столик выполняют с боковыми стенками, в которых, как и в основании графитового столика, установлено не менее двух нагревательных элементов в каждом, на торцах двух противоположных стенок установлены токовводы для подачи анодного напряжения, на основании столика расположена кассета, в которой размещены пары структур кремний - стекло. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 4 ил. |
2511282 выдан: опубликован: 10.04.2014 |
|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ РЕЛЕ
Изобретение относится к микросистемной технике и может быть использовано при изготовлении микроэлектромеханических реле. Способ изготовления микроэлектромеханических реле включает последовательное формирование на подложке контактной металлизации, состоящей из управляющего электрода, двух нижних коммутируемых контактов, расположенных с двух сторон от управляющего электрода на определенном расстоянии, «жертвенного» слоя, верхнего подвижного контакта, расположенного над управляющим электродом и нижними коммутируемыми контактами, опор для подвеса подвижного верхнего контакта. «Жертвенный» слой формируют из не менее трех «жертвенных» подслоев в несколько стадий с использованием двух позитивных фоторезистов с различной величиной вязкости, формируют отверстия для нижних коммутируемых контактов и опор для подвеса подвижного верхнего контакта методом фотолитографии, на конечной стадии проводится термообработка «жертвенного» слоя. Техническим результатом заявленного изобретения является получение высокого уровня планарности «жертвенного» слоя, что повышает воспроизводимость технологического процесса изготовления микроэлектромеханических реле. 4 з.п. ф-лы, 9 ил. |
2511272 выдан: опубликован: 10.04.2014 |
|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОГО КЛЮЧА ДЛЯ ЗАЩИТЫ ИНФОРМАЦИОННО-ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННОЙ АППАРАТУРЫ КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТОВ ПРИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОМ СТАРТЕ
Изобретение относится к области космического приборостроения и микроэлектроники и может быть использовано для систем защиты информационно-телекоммуникационной аппаратуры ИТА беспилотных малых космических аппаратов от высоких стартовых перегрузок на заданных пороговых значениях. Изобретение обеспечивает повышение технологичности, снижение трудоемкости способа получения групп микроэлектромеханических ключей, повышение надежности срабатывания при достижении пороговых величин ускорений при электромагнитоэлектрическом старте беспилотных малых космических аппаратов. В способе получения микроэлектромеханического ключа, являющегося основой системы защиты информационно-телекоммуникационной аппаратуры космических аппаратов при электромагнитном старте с перегрузками от нескольких тысяч до десятков тысяч единиц ускорений свободного падения тела, формируют чувствительный блок, состоящий из балки и опор, примыкающий при воздействии ускорения к подложке с помощью контактных элементов, формируя при этом сигнал, указывающий на порог величины ускорения, по которому судят о перегрузке аппаратуры, формируют травлением через маску на плоской полупроводниковой подложке проводящие дорожки и контактные площадки из системы металлов ванадий-алюминий, а чувствительный блок получают с помощью двухслойной системы металлов железо-никель, которые осаждают друг на друга в едином технологическом цикле термического испарения в вакууме, которые затем травят через маску в водном растворе соляной кислоты до получения заданной формы чувствительного блока в одном технологическом цикле. 4 з.п. ф-лы, 3 ил., 2 табл. |
2509051 выдан: опубликован: 10.03.2014 |
|
СИСТЕМА ШЕСТЕРЕН ДЛЯ ЧАСОВ
Изобретение относится к области часовой промышленности, а именно к системе шестерен, которая включает в себя крепежное устройство, предотвращающее возникновение напряжения сдвига, что обеспечивается за счет того, что система шестерен включает в себя шестерню и зубчатое колесо, соосно установленные относительно поворотной оси, и крепежное устройство между вышеуказанной шестерней и вышеуказанным колесом для предотвращения относительного перемещения одного из них относительно другого. При этом согласно изобретению крепежное устройство включает в себя фасонное углубление, форма которого, по меньшей мере, частично согласуется с сечением вышеуказанной секции и которое выполнено на ступице вышеуказанного колеса для крепления вышеуказанной шестерни и колеса при вращении. 3 н. и 13 з.п. ф-лы, 9 ил. |
2498383 выдан: опубликован: 10.11.2013 |
|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛАНАРНОГО ВОЛНОВОДА ОКСИДА ЦИНКА В НИОБАТЕ ЛИТИЯ
Изобретение может быть использовано области интегральной и нелинейной оптики. Способ создания планарного волновода оксида цинка на ниобате лития включает приготовление пленкообразующего раствора с последующим выдерживанием его в течение 1 суток при комнатной температуре, нанесение раствора на полированный ниобат лития, сушку, отжиг, постепенное охлаждение в условиях естественного остывания муфельной печи. Ниобат лития предварительно очищают 96% раствором этилового спирта. Сушку ниобата лития с нанесенным пленкообразующим раствором осуществляют при температуре 60°С в течение 1 часа, с последующим отжигом при 400°С в атмосфере воздуха со скоростью нагрева 14°С/мин 1 час и при температуре 870-1050°С со скоростью нагрева 35°С/мин от 2 до 5 часов, при следующем соотношении компонентов пленкообразующего раствора, мас.%: кристаллогидрат нитрата цинка - от 5,2 до 9,9%; салициловая кислота - от 4,6 до 4,8%; 96% раствор этилового спирта - остальное. Изобретение позволяет снизить трудоемкость и энергоемкость процесса получения стойкого к излучению в зеленой области спектра планарного волновода со значениями максимального приращения показателя преломления 0,003-0,005. 1 ил., 2 табл., 3 пр. |
2487084 выдан: опубликован: 10.07.2013 |
|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ И НАНОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ С АВТОЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИЕЙ
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к средствам измерения линейных ускорений, угловых скоростей и тепловых полей малой интенсивности в инфракрасной и терагерцовой области. Сущность способа изготовления наноэлектромеханического преобразователя на основе поверхностной микромеханической технологии для кремниевого или сапфирового основания, заключается в том, что предварительно создают соответствующую планарную интегральную схему, для чего сначала формируют контактные площадки на обратной стороне основания, затем создают первый проводниковый слой, после чего осуществляют формирование контура чувствительного элемента преобразователя и удаляют жертвенный слой, а завершают способ корпусировкой преобразователя и формированием вискеров. Кроме того, при корпусировке преобразователя в замкнутом объеме корпуса создают газовую среду с заданными параметрами, а формирование вискера осуществляют за счет подачи на электроды импульсов заданной формы. В качестве заданных параметров среды используют, например, давление и/или точку росы. На электроды подают импульсы в форме полупериода синусоиды заданной амплитуды и частоты. Технический результат заключается в унификации различных типов датчиков с автоэлектронной эмиссией и уменьшении типоразмеров различных датчиков. 3 з.п. ф-лы, 12 ил. |
2484483 выдан: опубликован: 10.06.2013 |
|
ФОРМА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ
Группа изобретений относится к области гальванотехники и может быть использована в различных способах обработки, в частности, для штамповки, литья, печати. Форма для формирования структуры глаза мотылька на поверхности содержит основу из стекла или пластмассы, неорганический подслой, буферный слой, содержащий алюминий, алюминиевый слой и пористый слой оксида алюминия, имеющий на поверхности перевернутую структуру глаза мотылька со множеством углублений, размер которых в двух измерениях, видимый в направлении нормали к поверхности, составляет не менее 10 нм и менее 500 нм. Способ содержит стадии: (а) предусматривают основу формы из стекла или пластмассы, неорганический подслой, буферный слой, содержащий алюминий, и алюминиевый слой, (b) частично анодируют алюминиевый слой для формирования пористого слоя оксида алюминия с множеством углублений, (с) подвергают пористый слой оксида алюминия травлению, увеличивая в размере углубления пористого слоя, и (d) анодируют пористый слой оксида алюминия для роста углублений. Технический результат: повышение адгезии между алюминиевым слоем и основой. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 2 табл., 4 пр., 7 ил. |
2482221 выдан: опубликован: 20.05.2013 |
|
ПРЕСС-ФОРМА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ
Группа изобретений относится к пресс-формам, предназначенным для получения антиотражающей структуры на изделии. Пресс-форма содержит гибкую полимерную пленку, расположенный на ней слой отверждаемой смолы и слой пористого оксида алюминия на слое отверждаемой смолы. Слой пористого оксида алюминия имеет обращенную рельефную структуру своей поверхности. Упомянутая структура имеет множество углублений. Размер углублений по двум осям, если смотреть в перпендикулярном направлении к поверхности, составляет не меньше 10 нм и меньше 500 нм. Гибкая пресс-форма может быть установлена на внешней поверхности основы в форме ролика. С помощью пресс-формы в форме ролика формируют антиотражающую структуру на поляризационной пластине. Для этого пластину перемещают относительно пресс-формы. При этом перед формированием структуры обеспечивают расположение поляризационной оси пластины параллельно периметру ролика, имеющему длину, которая равна 2 r, где r - радиус ролика. В результате обеспечивается упрощение изготовления гибкой пресс-формы. 4 н. и 11 з.п. ф-лы, 18 ил., 1 табл. |
2481949 выдан: опубликован: 20.05.2013 |
|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГАЗОПОГЛОЩАЮЩЕЙ СТРУКТУРЫ
Изобретение относится к вакуумной технике и представляет собой способ получения газопоглощающей структуры для поддержания вакуума в различных приборах, в том числе микроэлектромеханических системах. Газопоглощающая структура представляет собой слой активного металла либо сплава с развитой поверхностью, соединенный с несущей подложкой, обеспечивающей механическую прочность газопоглотителя и возможность его монтажа в различные устройства. Технический результат - повышение эффективности поверхности и сорбционной емкости. 8 ил. |
2474912 выдан: опубликован: 10.02.2013 |
|
СОСТАВНОЙ МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЙ КОМПОНЕНТ ИЗ КРЕМНИЯ С МЕТАЛЛОМ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОМПОНЕНТА
Изобретение относится к способу изготовления составного микромеханического компонента, сочетающему процессы глубокого реактивного ионного травления и литографии, гальванопластики и формования. Сущность изобретения: способ изготовления составного микромеханического компонента из кремния и металла включает следующие этапы: подготовку подложки, включающей верхний и нижний слои кремния, между которыми проходит промежуточный слой оксида кремния, избирательное травление по меньшей мере одной полости в верхнем слое для ограничения рисунка кремниевой части этого компонента, продолжение травления этой по меньшей мере одной полости в промежуточном слое, при этом в способе дополнительно выращивают металлический слой по меньшей мере от одного участка указанной по меньшей мере одной полости с целью создания металлической части в толще компонента для изоляции кремниевой части микромеханического компонента от разрушающих механических напряжений и отделяют составной микромеханический компонент от подложки. Изобретение обеспечивает получение составных микромеханических компонентов, приспособленных для изготовления часов. 3 н. и 29 з.п. ф-лы, 12 ил. |
2474532 выдан: опубликован: 10.02.2013 |
|
ТЕПЛОВОЙ МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЙ АКТЮАТОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
Изобретение относится к области микросистемной техники и может быть использовано при создании и изготовлении микромеханических устройств, содержащих упругие гибкие деформируемые исполнительные элементы, обеспечивающие преобразование «электрический сигнал - перемещение» и/или «изменение температуры - перемещение» для микроробототехнических систем. Изобретение направлено на расширение диапазона температур, повышение технологичности и надежности, что обеспечивается за счет того, что тепловой микромеханический актюатор включает кремниевую монокристаллическую пластину с ориентацией [100] с меза-структурой, состоящей из параллельных трапециевидных вставок, соединенных полиимидными прослойками, образованными полиимидной пленкой, нагревателя и металлизации нагревателя. При этом, согласно изобретению, полиимидная пленка выполнена из слоя полипиромеллитимида, прилегающего к параллельным трапециевидным вставкам, армированного углеродными нанотрубками с функциональными карбоксильными группами и концентрацией не более 11×10 -3 г/см3, и неармированного внешнего слоя полипиромеллитимида. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 2 табл., 8 ил. |
2448896 выдан: опубликован: 27.04.2012 |
|
ЗАЩИТНЫЙ КОРПУС ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ МИКРОСИСТЕМЫ, СОДЕРЖАЩИЙ ПРОМЕЖУТОЧНЫЙ ТРАНСЛЯТОР ПРОВОДКИ
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано, например, в микрогирометрах, микроакселерометрах, микродатчиках давления. Изобретение направлено на повышение надежности, что обеспечивается за счет использования в защитном корпусе электромеханической микросистемы промежуточного транслятора проводки. Причем, защитный корпус образован стенкой, изготовленной из электроизоляционного материала и формирующей закрытую камеру. Упомянутая стенка имеет внутреннюю поверхность, ориентированную внутрь камеры, и наружную поверхность, находящуюся в контакте с внешней средой. Внутренние электрические контакты, располагающиеся на внутренних поверхностях, и наружные электрические контакты, располагающиеся на наружных поверхностях, попарно электрически связаны между собой. Первая поверхность плоской электромеханической микросистемы закреплена на внутренней стенке корпуса, а вторая содержит электрические контакты этой микросистемы. Первый конец проволочного соединения, изготовленного из электропроводного материала, закрепляется на электрическом контакте микросистемы. Промежуточный транслятор изготавливается из электроизоляционного материала, закрепляется, по меньшей мере, на одной внутренней стенке и содержит дорожки, изготовленные из электропроводного материала, причем одна такая электропроводная дорожка электрически связана, по меньшей мере, с одним внутренним электрическим контактом и с одним вторым концом проволочного соединения. 9 з.п. ф-лы, 4 ил. |
2436726 выдан: опубликован: 20.12.2011 |
|
СПОСОБ СТАБИЛИЗАЦИИ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОГО ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ
Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии изготовления тонкопленочных тензорезисторных датчиков давления. В предлагаемом способе стабилизации нано- и микроэлектромеханической системы тонкопленочного тензорезисторного датчика давления разогрев тензорезисторов импульсным электрическим током проводят после герметизации внутренней полости чувствительного элемента датчика при одновременном воздействии на его приемную полость максимально допустимого измеряемого давления и минимально допустимой пониженной температуры при эксплуатации, а также максимально допустимого измеряемого давления и максимально допустимой повышенной температуры при эксплуатации. Термостабилизацию проводят при температуре, превышающей в 1,05 раза максимально допустимую повышенную температуру при эксплуатации. Измерения начальных выходных сигналов при термостабилизации проводят при повышенном напряжении питания. Контроль скорости изменения начального выходного сигнала осуществляют по соотношениям скорости изменения приведенных значений начальных выходных сигналов при последнем и предпоследнем измерении начального выходного сигнала при термостабилизации, соответственно. Технический результат - повышение стабильности начального и номинального выходного сигнала тонкопленочных тензорезисторных датчиков давления и выявление скрытых дефектов тензорезисторов на ранних стадиях изготовления. |
2434210 выдан: опубликован: 20.11.2011 |
|
СПОСОБ ЛАЗЕРНОГО ОСАЖДЕНИЯ НАНОЧАСТИЦ ИЗ РАСТВОРОВ
Изобретение относится к области электротехники и нанотехнологии, в частности к производству материалов электронной техники и квантовой электроники, использующих технологию локализованного нанесения металлических слоев, либо наноструктур на поверхности различных типов для создания элементов и устройств. Технический результат - создание способа лазерного осаждения наночастиц из коллоидных растворов, получение одно-двухкомпонентных коллоидных растворов и наноструктурированных осаждений на различные подложки (диэлектрические, проводящие, керамические и т.д.) при помощи лазерного излучения. Способ лазерного осаждения наночастиц из растворов на подложку заключается в ее помещении в раствор или нанесении раствора на ее поверхность. При этом осаждение проводят из коллоидного раствора, состоящего из жидкой, вязкой фазы (глицерина) и металлических наночастиц (например, Ni, Сu, Ti) и/или их оксидов (NiO, CuO, ТiO2), мощность лазерного излучения варьируют в диапазоне от пороговой мощности, составляющей 1-1,5 Вт, до 4 Вт, фокусируют лазерное излучение со стороны раствора на границу раздела подложка-раствор и сканируют излучением по вышеуказанной поверхности с различной скоростью. 1 з.п. ф-лы, 4 ил. |
2433948 выдан: опубликован: 20.11.2011 |
|
ПЛАТФОРМА СИСТЕМА В КОРПУСЕ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННО-МИКРОФЛЮИДНЫХ УСТРОЙСТВ
Изобретение относится к интегрированному электронно-микрофлюидному устройству. Сущность изобретения: интегрированное электронно-микрофлюидное устройство содержит полупроводниковую подложку (106) на первой основе (122), электронную схему (102, 104) на первой стороне полупроводниковой подложки и структуру сопряжения сигналов с внешним устройством. Структура сопряжения сигналов расположена на первой стороне полупроводниковой подложки и выполнена с возможностью принимать электрические сигналы от электронной схемы. Микрофлюидная структура (126) сформирована в полупроводниковой подложке и выполнена с возможностью ограничивать текучую среду и позволять течение текучей среды в микрофлюидную структуру и из нее только на второй стороне полупроводниковой подложки, которая противоположна первой стороне полупроводниковой подложки и обращена от первой основы. Электронно-микрофлюидное устройство образует приспосабливаемую платформу для создания различных применений «системы в корпусе». Достигается четкое разделение между электрическими и жидкостно-химическими интерфейсами. Заявленный способ изготовления устройства по изобретению также предоставляет возможность простого формирования теплоизолированных микрофлюидных структур. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 7 ил. |
2422204 выдан: опубликован: 27.06.2011 |
|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЭМС КОММУТАТОРА
Изобретение относится к микросистемной технике, а именно к способу изготовления МЭМС коммутаторов, имеющих контактную систему. Техническим результатом изобретения является получение стабильных характеристик МЭМС коммутаторов, таких как омическое сопротивление, управляющее напряжение, время срабатывания, переходное сопротивление контактов, за счет формирования металлического контакта и получения межконтактного зазора строго фиксированной величины с высокой воспроизводимостью. Сущность изобретения: в способе изготовления МЭМС коммутатора на подложку поэтапно наносят электродный слой, в котором формируют нижний управляющий электрод и нижний контакт. Поверх электродного слоя наносят первый жертвенный слой, толщина которого - сумма высот верхнего и нижнего контактов, вытравливают в жертвенном слое рельеф с образованием отверстия до поверхности нижнего контакта. Затем выполняют второй жертвенный слой, толщина которого равна расчетному значению межконтактного зазора. Далее формируют верхний контакт, подвижную часть необходимой конструкции, верхний управляющий электрод и вытравливают весь жертвенный слой. 4 ил. |
2417941 выдан: опубликован: 10.05.2011 |
|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОМЕХАНИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ, СОДЕРЖАЩИХ ГАЗОПОГЛОТИТЕЛЬНЫЙ МАТЕРИАЛ, И ИЗГОТОВЛЕННЫЕ ЭТИМ СПОСОБОМ УСТРОЙСТВА
Изобретение относится к изготовлению микромеханических устройств. Сущность изобретения: в способе изготовления микромеханических устройств их формируют соединением вместе двух частей при помощи прямого соединения; при этом одна из частей (12) выполнена из кремния, а другая - из материала, выбранного из группы, состоящей из кремния и полупроводникового керамического или окисного материала; причем соединение между двумя частями образует полость (14), содержащую функциональные элементы устройства (11), возможные вспомогательные элементы и покрытие (13) из газопоглотительного материала. Изобретение обеспечивает получение микромеханических устройств, в которых предотвращено отсоединение находящихся на кремниевых подложках покрытий из газопоглотительного материала при выполнении способа прямого соединения. 14 з.п. ф-лы, 2 ил. |
2401245 выдан: опубликован: 10.10.2010 |
|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОННО-КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОПАЛОВЫХ ПЛЕНОК
Изобретение может быть использовано для получения фотонно-кристаллических материалов из наночастиц кремнезема. Из полученной методом гидролиза тетраэтоксисилана спиртовой суспензии монодисперсных сферических частиц кремнезема седиментацией или центрифугированием осаждают монодисперсные сферические частицы кремнезема и затем удаляют спиртовую среду. Осадок монодисперсных сферических частиц кремнезема диспергируют в диметилсульфоксиде в объемном соотношении 1:1. Полученную вторичную суспензию с введенным в нее изопропиловым спиртом в количестве 0,25-0,5 от объема суспензии наносят на поверхность твердой подложки в виде пленки. Изобретение позволяет получать фотонно-кристаллические опаловые пленки высокого качества. 1 з.п. ф-лы. |
2389683 выдан: опубликован: 20.05.2010 |
|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТУННЕЛЬНОГО СЕНСОРА МЕХАНИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ
Изобретение относится к области технологии изготовления микроэлектронных и микромеханических устройств и может быть использовано при изготовлении сенсоров, функционирующих на основе туннельного эффекта и обеспечивающих преобразование «перемещение - электрический сигнал». Технический результат: повышение воспроизводимости и технологичности изделия. Сущность: на диэлектрической или полупроводниковой подложке с диэлектрическим слоем формируют систему металлизации, состоящую из нижнего электрода системы электростатического управления, контактных площадок, системы электрической разводки. Затем на полученную структуру наносят «жертвенный» технологический слой и формируют в нем последовательно отверстие для опоры кантилевера и конусообразное отверстие для туннельного электрода. Наносят слой фоточувствительного композиционного материала из полимерной матрицы с наполнителем в виде электропроводящих порошков наночастиц. Проводят литографию и термообработку слоя композиционного материала для получения частично заполненной композиционным материалом вершины конуса отверстия для туннельного электрода. Затем формируют кантилевер, инерционную массу и удаляют «жертвенный» слой с частичным травлением полимерной матрицы композиционного материала для освобождения поверхности наночастиц, формируя туннельный электрод. 6 з.п. ф-лы, 1 ил. |
2388682 выдан: опубликован: 10.05.2010 |
|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРЕМНИЕВОЙ МИКРОКАНАЛЬНОЙ МЕМБРАНЫ В МОНОЛИТНОМ ОБРАМЛЕНИИ
Изобретение относится к области мембранных технологий и индустрии наносистем и может быть использовано в производстве микро- и нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики. Сущность изобретения: в способе получения кремниевой микроканальной мембраны в монолитном обрамлении анодное травление пластины монокристаллического кремния дырочного типа с затравочными ямками на поверхности в растворе электролитов, содержащем ионы водорода и фтора, прерывают электрополировкой и последующим удалением жертвенной микроканальной мембраны, после чего возобновляют анодное травление. Повышаются коэффициент прозрачности и механическая прочность мембран, улучшаются эксплуатационные характеристики, и расширяется номенклатура изделий. 3 з.п. ф-лы, 5 ил. |
2388109 выдан: опубликован: 27.04.2010 |
|
ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЙ МИКРО-, НАНОДВИГАТЕЛЬ
Электростатический микро-, нанодвигатель предназначен для построения систем передвижения и транспортировки, в микро- и наноразмерной шкале масштабов, например, в робототехнике, и в частности, в нано- и микроробототехнических системах медицинского назначения. Двигатель содержит источник питания, по крайней мере, две пластины, расположенные друг относительно друга с зазором и с возможностью изменения за счет электростатического воздействия их пространственной ориентации друг относительно друга. В микро-, нанозазоре между пластинами размещена с возможностью фиксации гофрированная самоформирующаяся упругая нанооболочка - пружина, выполненная из механически напряженной пленки. Нанооболочка - пружина изменяет свою форму и коэффициент упругости при изменении взаимного расположения пластин, при подаче на пластины или также и нанооболочку - пружину напряжения от источника питания и отработке ими электростатического воздействия. Изобретение обеспечивает расширение функциональных возможностей и областей применения двигателя, увеличение диапазона и повышение точности перемещений, увеличение мощности двигателя. 16 з.п. ф-лы, 17 ил. |
2374746 выдан: опубликован: 27.11.2009 |
|
МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЙ КОМПОНЕНТ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
Изобретение относится к микромеханическому, микроэлектромеханическому компоненту. Технический результат направлен на изготовления компонента, не требующего сложной производственной технологии, позволяющего надежно заключить в герметическую оболочку соответствующие активные структуры и вывести из компонента электрические контакты. Способ изготовления микромеханического, микроэлектромеханического или микрооптоэлектромеханического компонента, согласно которому: изготавливают первый слоистый композитный материал, имеющий первую подложку (2) и первый изолирующий слой (3), который покрывает по меньшей мере одну часть поверхности (1) первой подложки (2). Изготавливают второй слоистый композитный материал, содержащий вторую подложку (12) и второй изолирующий слой (14), который покрывает по меньшей мере одну часть поверхности (13) второй подложки (12). Наносят по меньшей мере частично проводящий структурный слой (7) на первый изолирующий слой (3). Наносят второй композитный материал на структурный слой (7), так что второй изолирующий слой (14) примыкает к структурному слою (7). Причем первый и второй слоистые композитные материалы, а также структурный слой (7) сконфигурированы таким образом, что по меньшей мере одна часть структурного слоя (7), которая содержит активную область (8) компонента, герметически изолирована первым и вторым слоистыми композитными материалами, а затем формируют в первой и/или второй подложке (2, 12) контактные отверстия (4) для обеспечения контакта с проводящими зонами (9) структурного слоя (7). 2 н. и 17 з.п. ф-лы, 10 ил. |
2371378 выдан: опубликован: 27.10.2009 |
|
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ВИСЯЩИХ КОНСТРУКЦИЙ
Способ относится к технологии микроструктурных устройств и полупроводниковых приборов и может быть использован для формирования мембран при изготовлении многоэлементных микромеханических преобразователей. Сущность изобретения: в способе формирования висящих конструкций на подложку осаждают жертвенный слой аморфного кремния 0,3-1,2 мкм и функциональные слои. Затем литографически формируют требуемую конструкцию из функциональных слоев размером от 40 мкм × 40 мкм до 100 мкм × 100 мкм. Газофазным травлением удаляют жертвенный слой в атмосфере, содержащей галогенид инертного газа. Травление проводят при низком общем давлении, начиная со значения (0,007 Торр), соответствующего минимальному, препятствующему разогреву и деформации формируемой висящей конструкции, с постепенным увеличением парциального давления галогенида инертного газа до верхнего предельного значения (0,4 Торр), обеспечивающего поддержание постоянной скорости травления и отсутствие диффузионных ограничений. В качестве галогенида инертного газа используют дифторид ксенона - порошкообразный реагент. Травление ведут при механическом перемешивании реагента, смешанного с твердыми, более массивными, чем дифторид ксенона, частицами из инертного материала. Способ обеспечивает за счет снижения скорости травления улучшение плоскостности висящих элементов, повышение воспроизводимости процесса травления и процента выхода годных изделий 8 з.п. ф-лы, 3 ил. |
2367591 выдан: опубликован: 20.09.2009 |
|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИМЕРНОГО ПОКРЫТИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ ЧАСТИЦ
Изобретение относится к получению полимерных биосовместимых покрытий на поверхности частиц и может быть использовано в фармакологии, медицине, ветеринарии, косметологии для создания систем векторной доставки лекарственных и биологически активных веществ. Способ получения полимерного покрытия на поверхности частиц включает формирование реакционной системы, в состав которой вводят частицы в смеси с мономерами, в качестве которых используют аминокислоты, и последующее проведение реакции полимеризации с образованием полимерного покрытия на поверхности частиц. Покрытие наносят на частицы, поглощающие микроволновое излучение. Для проведения реакции полимеризации реакционную систему облучают микроволновым излучением, которое поглощается указанными частицами. Изобретение позволяет получить биосовместимые покрытия на поверхности частиц без использования токсичных органических растворителей. 4 ил. |
2367513 выдан: опубликован: 20.09.2009 |
|
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ НАНОКЛАСТЕРНОГО ПОКРЫТИЯ
Изобретение относится к микро- и нанотехнологии. Магнетрон, оснащенный полым трубчатым катодом-мишенью (1), присоединен с помощью электромагнитного направляющего устройства (ЭНУ) к рабочей камере (2), в которой смонтирован держатель (3) обрабатываемого изделия. Магнетрон оборудован дополнительным охлаждаемым катодом-мишенью (5), плоскость распыления которого перпендикулярна боковой поверхности трубчатого катода-мишени (1). ЭНУ состоит из коаксиально расположенных катушки (6) электромагнита, магнитопровода, включающего выполненные из ферромагнитного материала электрически изолированные друг от друга полый цилиндр (7), круглую пластину (8) и кольцеобразный вкладыш (9), установленный непосредственно перед входом в рабочую камеру (2), и алюминиевой втулки (10), отверстие которой выполнено сужающимся по направлению транспортирования плазмы. Трубчатый катод-мишень (1) расположен внутри цилиндра (7), пластина (8) и дополнительный катод-мишень (5) установлены последовательно по направлению транспортирования плазмы со стороны торца трубчатого катода-мишени. Катушка (6) размещена между боковыми стенками цилиндра (7) и трубчатого катода-мишени (1), а втулка (10) присоединена к вкладышу (9) магнитопровода. Технический результат - расширение номенклатуры наносимых нанокластерных покрытий за счет снятия ограничений в отношении количества и свойств компонентов материалов покрытия и подложки. 3 з.п. ф-лы, 3 ил. |
2362838 выдан: опубликован: 27.07.2009 |
|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МИКРОСТРУКТУР
Изобретение относится к области микро- и нанотехнологий обработки материалов с применением лазерного излучения. Техническим результатом изобретения является разработка производительного, экологически чистого, высокотехнологичного способа получения микроструктур с плоским дном как ячеистого, так и канального типа. Сущность изобретения: в способе получения микроструктур при воздействии излучения лазера на граничащую с газом поверхность материала с последующим охлаждением путем теплоотвода выбирают материал поглощающий в средней ИК области спектра и с низким коэффициентом температурного расширения, у которого ж= т, где ж - плотность материала в жидкофазном состоянии при температуре плавления; т - плотность материала в твердофазном состоянии при температуре плавления; выбирают размер зоны воздействия не больше величины, определяемой из условия: Во=1/3, где Во - число Бонда, воздействие осуществляют излучением непрерывного или квазинепрерывного лазера среднего ИК диапазона, плотность мощности излучения и время воздействия излучения выбирают исходя из условия >Т0, где - время затвердевания сформированного в результате воздействия расплава, Т0 - время формирования под действием сил поверхностного натяжения квазиравновесной границы раздела расплав - газ. 5 з.п. ф-лы, 3 ил. |
2291835 выдан: опубликован: 20.01.2007 |
|
ДАТЧИК АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ С МИКРООБРАБОТАННОЙ ПОВЕРХНОСТЬЮ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
Сущность: датчик содержит, по меньшей мере, один фиксированный электрод (3) и, по меньшей мере, один подвижный электрод (6, 7), электрически изолированный и пространственно отделенный (10) от указанного электрода (3). Согласно изобретению часть подвижного электрода (6, 7) сформирована из пористого слоя (6) поликристаллического кремния, причем указанный слой в полностью собранном компоненте остается в качестве интегральной части указанного гибкого электрода (6, 7). Технический результат изобретения заключается в возможности компенсации температурного дрейфа и зависимости от влажности окружающей среды. 2 н. и 17 з.п. ф-лы, 8 ил. |
2258914 выдан: опубликован: 20.08.2005 |