Подготовка оригиналов для фотомеханического изготовления рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком – G03F 1/00
Патенты в данной категории
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОШАБЛОНА ДЛЯ КОНТАКТНОЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ С СУБМИКРОННЫМИ И НАНОМЕТРОВЫМИ ПРОЕКТНЫМИ НОРМАМИ
Изобретение относится к области микроэлектроники, а точнее к способам изготовления фотошаблонов для контактной фотолитографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами, и может быть использовано при изготовлении фотошаблонов для технологии изготовления акустоэлектронных устройств на поверхностных и объемных акустических волнах. Технический результат - к N раз уменьшение неровности края переносимого на фотошаблон для контактной фотолитографии изображения, по сравнению с неровностью края изображения на изготовленном рабочем фотошаблоне для проекционной фотолитографии, и сократить финансовые затраты на изготовление фотошаблона для контактной фотолитографии из-за формирования первичного изображения на рабочем фотошаблоне для проекционной фотолитографии в укрупненном в N раз масштабе и возможности многократного воспроизведения топологии рабочего фотошаблона на круглых пластинах, используемых в качестве фотошаблонных заготовок для контактной фотолитографии. Достигается тем, что в способе изготовления фотошаблонов для контактной фотолитографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами изготавливают фотошаблон для проекционной фотолитографии с увеличенными в N раз размерами по сравнению с размерами на изготавливаемом шаблоне для контактной фотолитографии и с использованием этого фотошаблона для проекционной фотолитографии и установок для проекционной фотолитографии, уменьшающих переносимый рисунок в N раз, переносят изображение на круглые пластины, изготовленные из прозрачного для ультрафиолетового излучения материала, имеющие линейные размеры, соответствующие линейным размерам кремниевых пластин, применяемых при изготовлении интегральных схем с использованием данных установок для проекционной фотолитографии, и на этих специальных круглых пластинах изготавливают фотошаблоны для контактной фотолитографии. 2 з.п. ф-лы, 1 пр. |
2470336 выдан: опубликован: 20.12.2012 |
|
ПОВТОРНОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ КРУПНОРАЗМЕРНОЙ ПОДЛОЖКИ ФОТОШАБЛОНА
Способ содержит следующие этапы. (i) Удаляют трафаретную экранирующую свет пленку с использованной крупноразмерной подложки фотошаблона для предоставления крупноразмерной формирующей фотошаблон заготовки стеклянной подложки, которая должна восстанавливаться. (ii) Повторно очищают поверхность заготовки стеклянной подложки с использованием технологического инструмента пескоструйной обработки. (iii) Повторно полируют подвергнутую повторной очистке поверхности заготовку стеклянной подложки для получения восстановленной заготовки стеклянной подложки. (iv) Накладывают экранирующую свет пленку на восстановленную заготовку стеклянной подложки для получения восстановленной крупноразмерной формирующей фотошаблон заготовки. (v) Обрабатывают экранирующую свет пленку этой заготовки в шаблон, соответствующий требуемому экспонированию маточного стекла, получая восстановленную подложку фотошаблона. Технический результат - улучшение точности экспонирования, особенно точности и разрешения совмещения. 5 з.п. ф-лы, 4 ил. |
2458378 выдан: опубликован: 10.08.2012 |
|
СПОСОБ СТРУКТУРИРОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПРЕССОВАННОГО ЛИСТА ИЛИ БЕСКОНЕЧНОЙ ЛЕНТЫ
Изобретение касается способа структурирования поверхности металлического прессованного листа или бесконечной ленты и устройства для его осуществления. Способ содержит следующие стадии: нанесение маски на прессованный лист или бесконечную ленту с помощью пригодного для этого устройства; осуществление, по меньшей мере, частичного отверждения маски и химической обработки поверхности прессованного листа или бесконечной ленты. При этом для выполнения маски используют отвержденный под воздействием ультрафиолетовых лучей УФ-лак, который непосредственно после нанесения маски, по меньшей мере, частично в течение 60 секунд облучают ультрафиолетовым излучением. Прессованный лист или бесконечную ленту для нанесения и отверждения маски устанавливают на рабочем столе с ровной поверхностью. Устройство содержит: рабочий стол с ровной поверхностью, блок управления, распылительную головку, направляющие салазок для перемещения распылительной головки в любую позицию внутри образованной координатами X и У плоскости, а также независимые приводные элементы для перемещения в эту позицию. Распылительная головка содержит сопловую головку для нанесения отверждаемого под воздействием ультрафиолетового излучения УФ-лака. Сопловая головка снабжена источником ультрафиолетового излучения, причем сопловая головка проходит на расстоянии от 0,1 до 4 мм от поверхности прессованных листов или бесконечных лент. Обеспечивается улучшение разрешающей способности полученных масок. 2 н. и 36 з.п. ф-лы, 2 ил. |
2412814 выдан: опубликован: 27.02.2011 |
|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОШАБЛОННЫХ ЗАГОТОВОК
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к фотошаблонным заготовкам, предназначенным для получения шаблонов с последующей передачей рисунка микроизображения на полупроводниковую пластину при изготовлении интегральных схем. Предлагается в процессе нанесения маскирующего слоя окиси железа окислительным пиролизом пентакарбонила железа в газ-носитель вводить окислитель в виде газообразного галогена, что стабилизирует процесс окисления и делает его более полным. Технический результат - получение менее дефектных маскирующих пленок и снижение температуры процесса. 3 з.п. ф-лы, 1 табл. |
2319189 выдан: опубликован: 10.03.2008 |
|
ФОТОШАБЛОННАЯ ЗАГОТОВКА Фотошаблонная заготовка содержит на стеклянном основании покрытие и пленку резиста. В качестве материала покрытия использовано соединение общей формулы МmЭn, где М - хром, железо; Э - азот, кислород; m и n - атомное соотношение М и Э, причем m>3, n<4. В качестве пленки резиста использован фоторезист или электронорезист. Соотношение толщин основание : покрытие : пленка резиста составляет (1-3)103:1:(3-6). Технический результат: повышение стабильности литографических характеристик вследствие установленного соотношения толщин основание-покрытие-пленка резиста. 1 з.п. ф-лы, 1 табл. | 2206115 выдан: опубликован: 10.06.2003 |
|
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МАСКИРУЮЩЕГО СЛОЯ ФОТОШАБЛОНА Использование: область микроэлектроники, изготовление фотошаблонов для фотолитографии. Сущность изобретения: подложку фотошаблона помещают в объем с газообразным соединением. Над рабочей стороной подложки размещают пластину, пропускающую лазерное излучение, с образованием зазора, равного 0,01 - 2 мм. Лазерное излучение видимого или УФ-диапазона фокусируют через пластину на поверхности подложки. Под действием облучения происходит термическое разложение молекул соединения, находящихся в зазоре между подложкой и пластиной и адсорбированных на их поверхностях, с образованием маскирующего слоя. Использование полупрозрачной пластины с пропусканием не менее 50% на длине волны лазерного излучения позволяет снизить энергоемкость процесса. В этом случае половинный угол при вершине светового конуса лазерного излучения, сходящегося на поверхности подложки, составляет не менее 20° (что соответствует телесному углу 0,12 ). 1 з.п. ф-лы, 2 ил. | 2017191 выдан: опубликован: 30.07.1994 |
|
СПОСОБ УСТРАНЕНИЯ ДЕФЕКТОВ В МАСКИРУЮЩЕМ ПОКРЫТИИ ФОТОШАБЛОНА Использование: устранение прозрачных дефектов фотошаблонов в производстве полупроводниковых приборов, интегральных микросхем и устройств функциональной электроники. Сущность изобретения: в кювету с ретуширующей жидкостью вводят световод, освещающий фотошаблон со стороны маскирующего покрытия. После обнаружения дефектного участка в проходящем свете, излучаемом световодом, жидкость нагревают до температуры менее температуры кипения металлоорганического соединения (МОС). За счет теплового расширения поверхность жидкости приходит в соприкосновение с соответствующим дефектным участком, что обеспечивает ее локальное нанесение на маскирующее покрытие. Затем фокусируют лазерное излучение видимого или УФ-диапазона с плотностью мощности 103-107Вт/см2 на границе раздела жидкость-фотошаблон в области дефектного участка, нагревая ее выше температуры разложения МОС. В результате происходит локальное осаждение металлсодержащего слоя на дефектном участке маскирующего покрытия. Изобретение повышает производительность и технологичность процесса, а также улучшает качество слоя, формирующего на дефектных участках покрытия. 3 ил. | 2017190 выдан: опубликован: 30.07.1994 |
|
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: устройство содержит шаблон, выполненный из прозрачной пластины с маскирующим слоем и защитное полимерное покрытие, укрепленные в рамке-носителе. Новым в конструкции является то, что рамка-носитель подсоединена к вакуумной системе и образует замкнутый объем между прозрачной пластиной с маскирующим слоем и защитным покрытием, закрепленным по краям на рамке-носителе. 1 ил. | 2012917 выдан: опубликован: 15.05.1994 |