монокристаллический железомарганцевый сульфид с колоссальной магнитострикцией

Классы МПК:C01G49/12 сульфиды 
C01G45/00 Соединения марганца
C01G1/12 сульфиды 
C30B29/46 серо-, селен- или теллурсодержащие соединения
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):Учреждение Российской академии наук Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2010-02-01
публикация патента:

Изобретение может быть использовано в микроэлектронике при создании магнитострикционных материалов. Монокристаллический железомарганцевый сульфид FexMn1-xS, в котором х=0,18; 0,27; 0,29, с колоссальной магнитострикцией, включает железо, марганец и серу при следующем соотношении компонентов, соответственно, мас.%: железо - 11,53; 17,28; 18,55; марганец - 36,78; 36,75; 36,74; сера - 51,69; 45,97; 44,71. Изобретение позволяет получить монокристаллический железомарганцевый сульфид, обладающий скачкообразным изменением магнитной восприимчивости в области магнитного перехода и магнитострикцией, изменяющей знак при изменении температуры. 4 ил., 2 табл.

монокристаллический железомарганцевый сульфид с колоссальной   магнитострикцией, патент № 2435734 монокристаллический железомарганцевый сульфид с колоссальной   магнитострикцией, патент № 2435734 монокристаллический железомарганцевый сульфид с колоссальной   магнитострикцией, патент № 2435734 монокристаллический железомарганцевый сульфид с колоссальной   магнитострикцией, патент № 2435734

Формула изобретения

Монокристаллический железомарганцевый сульфид Fex Mn1-xS, в котором х=0,18; 0,27; 0,29, с колоссальной магнитострикцией, включающий железо, марганец и серу при следующем соотношении компонентов, мас.%:

Железо11,53; 17,28; 18,55
Марганец 36,78; 36,75; 36,74
Сера 51,69; 45,97; 44,71

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к новым сульфидным соединениям, которые могут быть использованы для нужд микроэлектроники, в частности к созданию магнитострикционных материалов.

Известны редкоземельные соединения ТbFе2, DyFe 2, SmFe2 [Белов К.П. Магнитострикционные явления и их технические приложения. М., Наука, 1987; Магнитострикционные явления, материалы с гигантской магнитострикцией, СОЖ, № 3, 112 (1998)] с величиной магнитострикции монокристаллический железомарганцевый сульфид с колоссальной   магнитострикцией, патент № 2435734 монокристаллический железомарганцевый сульфид с колоссальной   магнитострикцией, патент № 2435734 2.5×10-3, которые можно использовать в качестве магнитострикционных преобразователей в информационных системах [А.С. № 1757428 (СССР), МКИ G01B 17/00, опубл. 30.02.92. Бюл. № 32]. Недостатком этих соединений является ограниченная область температур (низкие температуры, ниже 20-50К).

Известны оксидные редкоземельные соединения марганца типа La 1-xАхМnО3 (А=Са, Sr, Pb и т.д.; 0<Хмонокристаллический железомарганцевый сульфид с колоссальной   магнитострикцией, патент № 2435734 0.4) [Нагаев Э.Л. Манганиты лантана и другие магнитные полупроводники с гигантским магнитосопротивлением [УФН. - 1996. - Т.166, № 8. - С.796-857], которые имеют кристаллическую структуру перовскита, являются полупроводниками и претерпевают при температуре перехода ферромагнетик-парамагнетик в области T~180÷200K эффект гигантской магнитострикци (ГМСТ) до (2÷6)×10 -4 в магнитном поле 200 кЭ [A.M. Кадомцева и др. Аномалии теплового расширения и магнитострикции при фазовых переходах в монокристаллах La1-xSrxMnO3, ФТТ, т.42, в.6, 1077-1082 (2000)]. Недостатком указанных веществ является высокая стоимость входящих в их состав редкоземельных элементов.

Наиболее близким к заявляемому изобретению по технической сущности является ферромагнитный железомарганцевый сульфид Fe xMn1-xS [патент РФ № 2256618. Бюл. № 20 от 20.07.2005 (прототип)], содержащий компоненты при следующем соотношении, атом.%: Fe - 12,5 -20; Мn 30 - 37,5 и S - 50 и имеющий кубическую структуру NaCl-типа. Данное вещество в виде поликристаллов синтезируется из чистых элементов в вакуумированных кварцевых ампулах при 900-1000°С в течение 10 дней.

Недостатком известного поликристаллического ферромагнитного железомарганцевого сульфида FexMn1-xS является дорогостоящая технология его получения из чистых элементов, использующая кварцевые ампулы, включающая длительную высокотемпературную выдержку (до 10 дней при 960-1000°С), допускающая возможность образования сопутствующих магнитных фаз моносульфида железа, а также отсутствие колоссальной магнитострикции.

Техническим результатом изобретения является получение нового монокристаллического железомарганцевого сульфида, обладающего колоссальной магнитострикцией.

Технический результат достигается тем, что монокристаллический железомарганцевый сульфид FexMn1-xS, в котором х=0,18; 0,27; 0,29, с колоссальной магнитострикцией, включает железо, марганец и серу, при следующем соотношении компонентов, мас.%:

Железо11,53; 17,28; 18,55;
Марганец 36,78; 36,75; 36,74;
Сера 51,69; 45,97; 44,71.

Монокристаллический железомарганцевый сульфид FexMn 1-xS с колоссальной магнитострикцией получается путем сульфидизации рассчитанных смесей оксидов металла или оксида марганца и металлического железа (Fe, FeO, Fе2О3, MnO2 ) в горизонтальном кварцевом реакторе с последующей кристаллизацией сульфида из расплава и отличается от прототипа количественным содержанием химических элементов, качественным состоянием микроструктуры (монокристаллы), скачкообразным поведением намагниченности в области магнитного перехода и наличием колоссальной магнитострикции.

На фиг.1 показана типичная лауэграмма монокристалла FexMn1-xS.

На фиг.2 представлен типичный мессбауэровский спектр железомарганцевого сульфида Fe xMn1-xS при 300 К.

На фиг.3а представлены типичные температурные зависимости магнитной восприимчивости монокристаллов FexMn1-xS.

На фиг.3b представлены типичные температурные зависимости магнитострикции.

На фиг.4 представлены зависимости магнитострикции от магнитного поля.

Для получения монокристаллических железомарганцевых сульфидов FexMn1-xS с колоссальной магнитострикцией были подготовлены три состава шихты (в пересчете на чистые элементы), которые приведены в таблице 1.

Таблица 1
СоставFe, % S, %Mn, %
I Fe0.18Mn0,82S 11,5351,69 36,78
II Fe0,27Mn 0,73S17,28 45,97 36,75
III Fe0,29Mn 0,71S18,55 44,71 36,74

Исходными компонентами шихты являлись мелкодисперсные порошки Fe, FeO, Fе2О3, МnО3. Для синтеза монокристаллов FexMn1-xS первоначально были синтезированы порошковые сульфиды, которые получены путем сульфидизации рассчитанных смесей оксидов металла или оксида марганца и металлического железа (Fe, FeO, Fе2О3, МnO2) в горизонтальном кварцевом реакторе с использованием в качестве контейнера стеклоуглеродных лодочек. Нагрев смесей оксидов металлов осуществлялся до 700-800°С с помощью кварцевых галогенных ламп. В качестве сульфидирующих агентов использовались газообразные продукты термолиза роданида аммония, инертным газом-носителем служил гелий. Процесс сульфидизации осуществлялся в течение 16 часов. В процессе синтеза образцы несколько раз подвергали перетиранию с целью гомогенизации. Проверка полноты сульфидирования образцов контролировалась их взвешиванием и рентгенофазовым анализом. Кристаллизация полученных порошковых сульфидов FexMn1-xS выполнена из расплава в инертной среде в стеклоуглеродных контейнерах с использованием индукционного нагрева протягиванием контейнера через одновитковый индуктор со скоростью 5-10 мм/час. Общее время, необходимое для осуществления полного технологического процесса выращивания кристаллов, составляет 6 часов.

В результате процесса кристаллизации из расплава выращены блочные монокристаллы FexMn 1-xS, размерами до 10×10×15 мм. Типичная для кубической фазы моносульфида марганца лауэграмма монокристалла FexMn1-xS показана на фиг.1. На фиг.2 представлен типичный мессбауэровский спектр железомарганцевого сульфида Fe xMni-xS при 300 K, который свидетельствуют о парамагнитном состоянии синтезированных веществ. Монокристаллические сульфиды FexMn1-xS претерпевают магнитный переход в области 180K (х=0.18)-200 К (х=0.29), который сопровождается скачком магнитной восприимчивости (фиг.3а), что существенно отличается от поведения магнитных свойств монокристалла моносульфида марганца и прототипа.

На фиг.3b и 4 представлены температурные зависимости магнитострикции. Из фиг.3b и 4 и таблицы 2, где представлены физические характеристики синтезированных монокристаллов Fe xMn1-xS, следует, что заявляемое вещество, магнитострикционный монокристаллический железомарганцевый сульфид FexMn 1-xS, обладает высоким значением магнитострикции в диапазоне температур 5-200К в магнитных полях до 120 кЭ.

Таблица № 2
FexMn1-xS a, Åмонокристаллический железомарганцевый сульфид с колоссальной   магнитострикцией, патент № 2435734 , Гс·см3 TN, K монокристаллический железомарганцевый сульфид с колоссальной   магнитострикцией, патент № 2435734 =монокристаллический железомарганцевый сульфид с колоссальной   магнитострикцией, патент № 2435734 1/1,10-6 (H=120 кЭ)
T=Tn, 5K100K 200К
монокристаллический железомарганцевый сульфид с колоссальной   магнитострикцией, патент № 2435734 монокристаллический железомарганцевый сульфид с колоссальной   магнитострикцией, патент № 2435734 H=100 Э монокристаллический железомарганцевый сульфид с колоссальной   магнитострикцией, патент № 2435734
I Fe0,18Mn 0,82S5,19 0.061 176270 -25070
II0,27Мn0,73S 5,1740.011 185275 -24363
III Fe0,29Mn0,71S 5,1670.017 198200 -19050

где а, Å - параметр кристаллической решетки;

монокристаллический железомарганцевый сульфид с колоссальной   магнитострикцией, патент № 2435734 , Гс·см3/г - намагниченность;

TN, K - температура Нееля;

монокристаллический железомарганцевый сульфид с колоссальной   магнитострикцией, патент № 2435734 =монокристаллический железомарганцевый сульфид с колоссальной   магнитострикцией, патент № 2435734 1/1 - магнитострикция.

Использование заявляемого изобретения позволяет:

- разрабатывать элементы микроэлектроники на основе эффекта колоссальной магнитострикции;

- сократить финансовые затраты на изготовление магнитострикционных материалов;

- разрабатывать элементы микроэлектроники на основе монокристаллических сульфидных соединений, синтезированных на основе моносульфида марганца.

Класс C01G49/12 сульфиды 

Класс C01G45/00 Соединения марганца

способ получения манганита лантана, легированного кальцием -  патент 2505485 (27.01.2014)
сложный ванадат марганца и никеля и способ его получения -  патент 2471712 (10.01.2013)
способ получения гетероядерных ацетатов палладия с цветными металлами -  патент 2458039 (10.08.2012)
магнитный, теллурсодержащий халькогенид марганца с гигантским магнитосопротивлением -  патент 2454370 (27.06.2012)
способ получения диоксида марганца -  патент 2444575 (10.03.2012)
способ получения гексагидрата нитрата марганца высокой чистоты -  патент 2410329 (27.01.2011)
поглощающий термостабилизирующий материал на основе манганитов редкоземельных элементов, способ его получения и термостабилизирующее покрытие на его основе -  патент 2404128 (20.11.2010)
магнитный кобальт-марганцевый сульфид с гигантским магнитосопротивлением -  патент 2404127 (20.11.2010)
способ электролитического получения марганца из отходов производства ферросплавов -  патент 2389533 (20.05.2010)
способ получения перманганата калия -  патент 2376246 (20.12.2009)

Класс C01G1/12 сульфиды 

способ получения сульфида металла -  патент 2525174 (10.08.2014)
способ получения особо чистых сульфидов p-элементов iii группы периодической системы -  патент 2513930 (20.04.2014)
дисульфид хрома-меди-железа с анизотропией магнитосопротивления -  патент 2466093 (10.11.2012)
наноразмерные оксиды и сульфиды переходных материалов с неполярным покрытием -  патент 2464228 (20.10.2012)
магнитный кобальт-марганцевый сульфид с гигантским магнитосопротивлением -  патент 2404127 (20.11.2010)
неорганический пигмент на основе сульфида металла -  патент 2388773 (10.05.2010)
способ получения неорганического пигмента на основе сложного сульфида щелочного, щелочно-земельного и редкоземельного металлов (варианты) -  патент 2356924 (27.05.2009)
желтый неорганический пигмент и способ его получения -  патент 2342412 (27.12.2008)
способ получения сероводорода из элементарной серы и способ обработки тяжелых металлов на его основе -  патент 2235781 (10.09.2004)
способ изготовления наночастиц или нитевидных нанокристаллов, способ изготовления неорганических фуллереноподобных структур халькогенида металла, неорганические фуллереноподобные структуры халькогенида металла, стабильная суспензия if-структур халькогенида металла, способ изготовления тонких пленок из if-структур халькогенида металла и тонкая пленка, полученная таким способом, и насадка для растрового микроскопа -  патент 2194807 (20.12.2002)

Класс C30B29/46 серо-, селен- или теллурсодержащие соединения

способ эксфолиации слоистых кристаллических материалов -  патент 2519094 (10.06.2014)
способ выращивания кристаллов сульфидных соединений на основе полуторных сульфидов редкоземельных элементов -  патент 2495968 (20.10.2013)
способ получения монокристаллов теллурида галлия (ii) -  патент 2485217 (20.06.2013)
способ изменения обыкновенного показателя преломления нелинейного кристалла gase -  патент 2472876 (20.01.2013)
дисульфид хрома-меди-железа с анизотропией магнитосопротивления -  патент 2466093 (10.11.2012)
способ получения ag-au халькогенида -  патент 2458190 (10.08.2012)
способ получения монокристаллов и устройство для его осуществления -  патент 2456385 (20.07.2012)
легированные теллуриды свинца для термоэлектрического применения -  патент 2413042 (27.02.2011)
способ синтеза полупроводниковых квантовых точек -  патент 2381304 (10.02.2010)
нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов -  патент 2344208 (20.01.2009)
Наверх